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    Interdiffusion of Si and Ge atoms during gas-source MBE of Ge on Si(100) at 500-800°C
    SUEMITSU, M ; CHIBA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 9, S. L1591- (3S.)
    academicJournal
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    Positron study of vacancy-type defects induced by heavy doping into MBE-grown GaAs
    UEDONO, A ; TANIGAWA, S
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 2, S. L346- (3S.)
    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Enhanced electron mobility in the inverted high electron mobility transistor structure by two-step molecular beam epitaxy (MBE) growth
    WASHIMA, M ; MISHIMA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 6B, S. L830- (2S.)
    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Investigation of growth parameters for ScAlN-barrier HEMT structures by plasma-assisted MBE
    Schütt, S. ; Müller, Stefan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SC1045
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Plasma assisted-MBE of GaN and AlN on graphene buffer layers
    Borisenko, D. P. ; Labunov, V. A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SC1046
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Realization of GaN PolarMOS using selective-area regrowth by MBE and its breakdown mechanisms
    Nomoto, Kazuki ; Rouvimov, Sergei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-20), S. SCCD15
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Effect of arsenic pressure on donor and acceptor concentration in Si doped MBE GaAs layers
    CHAIX, C ; RADISSON, A ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 10, S. 1908-1909
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    Gas source MBE growth of GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistor with a carbon doped base using only gaseous sources
    SANDHU, A ; FUJII, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 3, S. 464-465
    academicJournal
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    academicJournal
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Metal-covered van der Waals epitaxy of gallium nitride films on graphitic substrates by ECR-MBE
    Mouri, Shinichiro ; Arakawa, Shingo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SC1053
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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