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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    CMOS on dual SOI thickness for optimal performance
    LO, H. C ; LI, C. T ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 87 (2010), Heft 12, S. 2531-2534
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Analysis on the effect of parallel current path on the quality factor of CMOS spiral inductors for 1-10 GHz
    SUH, Dongwoo ; MHEEN, Bongki
    In: Microelectronic engineering, Jg. 77 (2005), Heft 3-4, S. 292-296
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Assessment of oxide reliability and hot carrier degradation in CMOS technology
    MAES, H. E ; GROESENEKEN, G ; et al.
    In: Electrical and physical characterization of materials and devices for silicon microelectronics, Jg. 40 (1998), Heft 3-4, S. 147-166
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Compatibility of HfxTayN metal gate electrode with HfOxNy gate dielectric for advanced CMOS technology
    CHANG-LIAO, Kuei-Shu ; CHANG, Hsin-Chun ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2516-2521
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Scaling potential of pin-type 3-D SBT ferroelectric capacitors integrated in 0.18 μm CMOS technology
    GOUX, L ; MAES, D ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 10, S. 2027-2031
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    Ni-salicided CMOS with a poly-SiGe/Al2O3/HfO2/Al2O3 gate stack
    WU, D ; VON HAARTMAN, M ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 77 (2005), Heft 1, S. 36-41
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Deuterium pressure dependence of characteristics and hot-carrier reliability of CMOS devices
    KANGGUO, CHENG ; JINJU, LEE ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 56 (2001), Heft 3-4, S. 353-358
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    CMOS device fabrication and the evolution of optical lithographic exposure tools
    ARNOLD, W. H
    In: Micro- and Nano- Engineering 98, MNE. Proceedings of the International Conference on Micro- and Nanofabrication, September 22-24 1998, Leuven, Belgium, Jg. 46 (1999), Heft 1-4, S. 7-9
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Effects of hot-carrier degradation in analog CMOS circuits
    THEWES, R ; WEBER, W
    In: Microelectronic engineering, Jg. 36 (1997), Heft 1-4, S. 285-292
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    The quality of 200 mm diameter epitaxial Si wafers for advanced CMOS technology monitored using synchrotron X-ray topography
    MCNALLY, P. J ; DANILEWSKY, A. N ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 45 (1999), Heft 1, S. 47-56
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Plasma-induced Si/SiO2 interface damage in CMOS
    CELLERE, G ; VALENTINI, M. G ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 63 (2002), Heft 4, S. 433-442
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Power and delay macro-modeling for submicronic CMOS process: application to low power design
    AUVERGNE, D ; DAGA, J. M ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 39 (1997), Heft 1-4, S. 209-223
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Low power/low voltage CMOS technologies, a comparative analysis
    ZDEBEL, P. J
    In: Microelectronic engineering, Jg. 39 (1997), Heft 1-4, S. 123-137
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Focused ion beam sample preparation, transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy analysis of advanced CMOS silicon technology interconnections
    PANTEL, R ; AUVERT, G ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 37-38 (1997), S. 49-57
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    Device simulations for low voltage/low power silicon CMOS device design
    JALLEPALLI, S ; RASHED, M ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 39 (1997), Heft 1-4, S. 139-144
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Low-power and low-voltage CMOS digital design
    PIGUET, C
    In: Microelectronic engineering, Jg. 39 (1997), Heft 1-4, S. 179-208
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Beyond CMOS: quantum devices
    GAUTIER, J
    In: Microelectronic engineering, Jg. 39 (1997), Heft 1-4, S. 263-272
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Analogue design issues for low-power SOI CMOS
    REDMAN WHITE, W ; TENBROEK, B. M ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 39 (1997), Heft 1-4, S. 167-177
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    After CMOS: in anticipation of innovative devices on Si
    GAUTIER, J
    In: Microelectronic engineering, Jg. 36 (1997), Heft 1-4, S. 3-10
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Platinum silicide study for submicron CMOS application: dielectric breakdown of gate oxide and correlation with yield models
    FLOWERS, D. L
    In: Microelectronic engineering, Jg. 14 (1991), Heft 2, S. 87-100
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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