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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    Reliability issues for nano-scale CMOS dielectrics
    RIBES, G ; RAFIK, M ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1910-1916
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Hydrogen desorption and diffusion in PECVD silicon nitride. Application to passivation of CMOS active pixel sensors
    BENOIT, D ; REGOLINI, J ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2169-2172
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Band-edge metal gate materials for atomic-layer-deposited HfO2 for future CMOS technology
    HASAN, Musarrat ; PARK, Hokyung ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2205-2208
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Ni- and Co-based silicides for advanced CMOS applications
    KITTL, J. A ; LAUWERS, A ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2003: Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2003, La Londe Les Maures, France, March 9-12, Jg. 70 (2003), Heft 2-4, S. 158-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application
    TORIUM, A ; IWAMOTO, K ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 190-197
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Investigation of Ni fully silicided gates for sub-45 nm CMOS technologies
    PAWLAK, M. A ; KITTL, J. A ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 349-353
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Characterization and integration of a CVD porous SiOCH (k < 2.5) with enhanced mechanical properties for 65 nm CMOS interconnects and below
    CHAPELON, L. L ; AURAL, V ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    SrHfO3 as gate dielectric for future CMOS technology
    ROSSEL, C ; SOUSA, M ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1869-1873
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Process-variation-and random-dopants-induced threshold voltage fluctuations in nanoscale CMOS and SOI devices
    YIMING, LI ; YU, Shao-Ming ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2117-2120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    High performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs
    CHENG, W ; TERAMOTO, A ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2105-2108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Comparing GaAs and In0.15Ga0.85As as channel material for alternative substrate CMOS
    BRAMMERTZ, G ; HEYNS, M ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2154-2157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies
    LAVOIE, C ; D'HEURLE, F. M ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2003: Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2003, La Londe Les Maures, France, March 9-12, Jg. 70 (2003), Heft 2-4, S. 144-157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Micromachined SU8 negative resist for MMIC applications on low resistivity CMOS substrates
    ELGAID, Khaled ; MCCLOY, David A ; et al.
    In: Proceedings of the 28th International Conference on Micro- and Nano-Engineering, September 16-19, 2002, Lugano, Switzerland, Jg. 67-68 (2003), S. 417-421
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    A 2D MEMS grating based CMOS compatible poly-SiGe variable optical attenuator
    RUDRA, S ; VAN HOOF, R ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 105 (2013), S. 8-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    High resolution nanotopography characterization at die scale of 28 nm FDSOI CMOS front-end CMP processes
    DETTONI, F ; RIVOIRE, M ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 113 (2013), S. 105-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    A comparison study of CMOS T/R switches using gate/source-terminated field-plate transistors
    WEI, Chien-Cheng ; CHIU, Hsien-Chin ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 87 (2010), Heft 2, S. 225-229
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Nanoscale TiN metal gate technology for CMOS integration
    LEMME, M. C ; EFAVI, J. K ; et al.
    In: Proceedings of the 31st International Conference on Micro- and Nano-Engineering: 19-22 September 2005, Vienna, Austria, Jg. 83 (2006), Heft 4-9, S. 1551-1554
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    NiSi salicide technology for scaled CMOS
    IWAI, Hiroshi ; OHGURO, Tatsuya ; et al.
    In: Proceedings of the fifth european workshop on materials for advanced metallization (MAM 2001), Sigtuna, Sweden, March 5-7, Jg. 60 (2002), Heft 1-2, S. 157-169
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    HSQ hybrid lithography for 20 nm CMOS devices development
    MOLLARD, L ; CUNGE, G ; et al.
    In: Micro- and nano- engineering 2001, MNE: proceedings of the 27th international conference on micro- and nano-engineering, September 16-19, Jg. 61-62 (2002), S. 755-761
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Ni fully silicided gates for 45 nm CMOS applications
    KITTI, Jorge A ; LAUWERS, Anne ; et al.
    In: Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, 6-9 March 2005, Dresden, Germany, Jg. 82 (2005), Heft 3-4, S. 441-448
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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