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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Impact of on- and off-chip protection on the transient-induced latch-up sensitivity of CMOS IC
    Scholz, Mirko ; Chen, Shih-Hung ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 57 (2016-02-01), S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Temperature dependent Young's modulus and quality factor of CMOS-MEMS resonator: Modelling and experimental approach
    Jan, Mohammad Tariq ; Ahmad, Farooq ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 57 (2016-02-01), S. 64-70
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Inverse Gaussian distribution based timing analysis of Sub-threshold CMOS circuits
    Chen, Jiaoyan ; Cotofana, Sorin ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-12-01), Heft 12, S. 2754-2761
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Investigation on SCR-based ESD protection device for biomedical integrated circuits in a 0.18-μm CMOS process
    Lin, Chun-Yu ; Chiu, Yan-Lian
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-11-01), Heft 11, S. 2229-2235
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Low cost and highly reliable radiation hardened latch design in 65 nm CMOS technology
    Qi, Chunhua ; Xiao, Liyi ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-05-01), Heft 6, S. 863-872
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Corrigendum to “A soft-error-tolerant, 1.25 GHz to 3.125 GHz, 3.18 ps RMS-jitter CPPLL in 40 nm CMOS process” [Microelectron. Reliab. volume 124 (2021) 114337]
    Guo, Qiancheng ; Guo, Yang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 135 (2022-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Degradation of static and dynamic behavior of CMOS inverters during constant and pulsed voltage stress
    Gerardin, S. ; Griffoni, A. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 9, S. 1669-1672
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Analysis of ESD failure mechanism in 65nm bulk CMOS ESD NMOSFETs with ESD implant
    Alvarez, D. ; Abou-Khalil, M.J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 9, S. 1597-1602
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Reduction of the acquisition time for CMOS time-resolved photon emission by optimized IR detection
    Ispasoiu, Radu ; Crawford, Tom ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 9, S. 1504-1507
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Analysis of triggering behaviour of high voltage CMOS LDMOS clamps and SCRs during ESD induced latch-up
    Heer, M. ; Dubec, V. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 9, S. 1591-1596
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    Designing in reliability in advanced CMOS technologies
    Parthasarathy, C.R. ; Denais, M. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 9, S. 1464-1471
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Design of a novel chip on glass package solution for CMOS image sensor device
    Chen, Ching-Yang ; Chao, Yung-Ching ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 8, S. 1326-1334
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    On-chip electrostatic discharge protection for CMOS gas sensor systems-on-a-chip (SoC)
    Salcedo, Javier A. ; Liou, Juin J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 8, S. 1285-1294
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Failure analysis and solutions to overcome latchup failure event of a power controller IC in bulk CMOS technology
    Chen, Shih-Hung ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 7, S. 1042-1049
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Implementation of plug-and-play ESD protection in 5.5 GHz 90 nm RF CMOS LNAs—Concepts, constraints and solutions
    Thijs, S. ; Natarajan, M.I. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 5, S. 702-712
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Integrated CMOS GSM baseband channel selecting filters realized using switched capacitor finite impulse response technique
    Dąbrowski, A. ; Długosz, R. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 5, S. 949-958
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Electrostatic discharge protection scheme without leakage current path for CMOS IC operating in power-down-mode condition on a system board
    Lin, Kun-Hsien ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 2, S. 301-310
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Damped transient power clamps for improved ESD protection of CMOS
    Hunter, Bradford L. ; Butka, Brian K.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006), Heft 1, S. 77-85
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Dc and low frequency noise analysis of hot-carrier induced degradation of low complexity 0.13 μm CMOS bipolar transistors
    Benoit, P. ; Raoult, J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005), Heft 9, S. 1800-1806
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Characterization of a 0.13 μm CMOS Link Chip using Time Resolved Emission (TRE)
    Stellari, Franco ; Song, Peilin ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005), Heft 9, S. 1550-1553
    academicJournal
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