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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Characteristics analysis and optimization design of a new ESD power clamp circuit
    Hao, Yue ; Liu, Hongxia ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-08-01), S. 1087-1093
    Online unknown
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  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Promoting of charged-device model/electrostatic discharge immunity in the dicing saw process
    Lin, Chii-Ruey ; Wang, Mu-Chun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-06-01), S. 839-846
    Online unknown
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  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Optimized carry lookahead adders with direct feeding
    Thomborson, Clark ; Patyra, Marek ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 36 (1996-02-01), S. 121-132
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Reliability considerations for ESD protection under wire bonding pads
    Fowler, Wendy ; Knecht, Sheera S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 41 (2001-03-01), S. 367-373
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Test structures and testing methods for electrostatic discharge: results of PROPHECY project
    Esmark, K. ; Guggenmos, X. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-05-01), S. 635-646
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Analysis of external latch-up protection test structure design using numerical simulation
    Palser, Kevin ; Duffy, Ray ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-05-01), S. 647-659
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Designing power supply clamps for electrostatic discharge protection of integrated circuits
    Maloney, Timothy J.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-11-01), S. 1691-1703
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    A new on-chip digital BIST for analog-to-digital converters
    Ehsanian, Mehdi ; Kaminska, Bozena ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-03-01), S. 409-420
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Using charged device model testing to eliminate real-world ESD failures
    Olney, Andrew H.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-02-01), S. 129-143
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Comprehensive physical modeling of NMOSFET hot-carrier-induced degradation
    Lunenborg, M.M. ; de Graaff, H.C. ; et al.
    In: Microelectronics reliability, Jg. 36 (1996), Heft 11/12, S. 1667-1670
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    Modeling metastable states in ASIC
    Fischer, Hermann ; Wild, Andreas A.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 33 (1993-11-01), S. 2079-2086
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Excess noise as an indicator of digital integrated circuit reliability
    Jones, B.K. ; Xu, Y.Z.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 31 (1991), S. 351-361
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    Relationship between profile of stressgenerated interface traps and degradation of submicron LDD mosfet's
    Dutoit, M. ; Hessler, T. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 36 (1996-11-01), S. 1671-1674
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Dielectric isolation techniques for integrated circuits
    Bosnell, J.R.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 15 (1976), S. 113-122
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    4391650 Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices
    Trudel, Murray L. ; Pfeifer, Robert F.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 24 (1984), S. 199-200
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Metal defect localization of GaAs or Si based ICs by dynamic emission microscopy.
    Chen, Xuanlong ; Liu, Liyuan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 72 (2017-05-01), S. 24-29
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    The impact of MOSFET technology evolution and scaling on electrostatic discharge protection
    Voldman, Steven H.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-11-01), S. 1649-1668
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    MOS current divider based PGA
    M. Teresa Sanz ; Celma, Santiago ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-03-01), S. 727-732
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    FUNCTIONALITY FAULT MODEL: A BASIS FOR TECHNOLOGY-SPECIFIC TEST GENERATION
    Žemva, Andrej ; Zajc, B.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-04-01), S. 597-604
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    US Army Panama field test of plastic encapsulated devices
    Hakim, Edward B.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 17 (1978), S. 387-392
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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