Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
877 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Sprache

877 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    Modeling Silicon Cylindrical CMOS Nanotransistors with a Fully Enclosed Variable-Radius Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-07-12), S. 220-225
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 394-401
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Kobylyatskii, A. V. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), S. 268-272
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Modeling neutron ionization effects on high-density CMOS circuit elements
    Zebrev, G. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), Heft 3, S. 185-196
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), Heft 2, S. 139-148
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes
    Belin, A. M. ; Zolotarev, V. I. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-12-01), Heft 7, S. 474-477
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    A High Voltage CMOS Voltage Level Converter for a Low Voltage Process
    Shubin, V. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), S. 155-163
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), S. 181-191
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    The circuit and functional blocks for radiation-hard transceiver LSICs in SOI CMOS
    Nazarova, G. N. ; Elesin, V. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016), Heft 1, S. 68-76
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Masking Noise Pulses When Collecting a Charge from the Tracks of Single Ionizing Particles in a Majority Element Based on CMOS NAND Logic
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-02-01), S. 36-42
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stenin, V. Ya. ; Stepanov, P. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), Heft 6, S. 368-379
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Simulation of the characteristics of the DICE 28-nm CMOS cells in unsteady states caused by the effect of single nuclear particles
    Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), Heft 5, S. 324-334
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Error correction coding for 28-nm CMOS two-phase logic elements
    Katunin, Yu. V. ; Levin, K. E.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-07-01), Heft 4, S. 263-268
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Noise immunity of a 28-nm two-phase CMOS combinational logic to transient effects of single nuclear particles
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-07-01), Heft 4, S. 255-262
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), S. 259-267
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Adaptive equalizer with a controller of a minimally admissible differential voltage of the output signal and pseudodifferential cascode output buffer for the 10-Gb/s transmitter according to the 65-nm CMOS technology
    Larionov, A. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), Heft 6, S. 414-420
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    CMOS Majority Element Based on NAND Logic with Reduced Sensitivity to Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), S. 394-403
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    CVC Simulation of Ultrathin Soi-Cmos Nanotransistors with a Fully Enclosed Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), S. 387-393
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Rational methodological approach to evaluation of dose resistance of CMOS microcircuits with respect to low intensity effects
    Boychenko, D. V. ; Kalashnikov, O. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -