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1.653 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Thermoelectric properties of quaternary Mg 2Sn 0.4Si 0.6− xGe x alloys
    Yin, Hao ; Zhao, Xin-Bing ; et al.
    In: International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials, Jg. 16 (2009), Heft 5, S. 564-567
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Optical properties of Si xGe 1−x single crystals grown by liquid phase diffusion
    Derin, Hüseyin ; Kantarlı, Kayhan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 12 (2009), Heft 4, S. 146-150
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Na + ion conductors of glass–ceramics in the system Na 1+ xAl xGe 2− xP 3O 12(0.3 ≤ x ≤ 1.0)
    Zhang, Qunxi ; Wen, Zhaoyin ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 479 (2009), Heft 1, S. 494-499
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    ac conductivity and dielectric properties of amorphous Se 80Te 20− xGe x chalcogenide glass film compositions
    Hegab, N.A. ; Afifi, M.A. ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 477 (2009), Heft 1, S. 925-930
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Orthorhombic nonlinear crystals of Ag xGa xGe 1−xSe 2 for the mid-infrared spectral range
    Badikov, Valeriy ; Mitin, Konstantin ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 31 (2009), Heft 4, S. 590-597
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    Controlling the size of InAs quantum dots on Si 1− xGe x/Si(0 0 1) by metalorganic vapor-phase epitaxy
    Kawaguchi, Kenichi ; Ebe, Hiroji ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 165 (2009), Heft 1, S. 103-106
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Composition dependence of thermal stability, micro-hardness and compactness in glassy Se 90In 10−xGe x alloys
    Kumar, H. ; Mehta, N. ; et al.
    In: Physica B: Physics of Condensed Matter, Jg. 404 (2009), Heft 20, S. 3761-3765
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Structures, magnetic properties, and magnetocaloric effect in MnCo 1−xGe (0.02⩽ x⩽0.2) compounds
    Fang, Yi-Kun ; Yeh, Jia-Chun ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Jg. 321 (2009), Heft 19, S. 3053-3056
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Ferromagnetism in Mn xGe 1−x films prepared by magnetron sputtering
    Qiao, Shuang ; Hou, Denglu ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Jg. 321 (2009), Heft 16, S. 2446-2450
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Paramagnetic Ge dangling bond type defects at (1 0 0)Si 1−xGe x/SiO 2 interfaces (Invited Paper)
    Stesmans, A. ; Somers, P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009), Heft 7, S. 1621-1625
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Novel method to introduce uniaxial tensile strain in Ge by microfabrication of Ge/Si 1−xGe x structures on Si(0 0 1) substrates
    Mizutani, Takuya ; Nakatsuka, Osamu ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 11, S. 1198-1201
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Improvement in negative differential conductance characteristics of hole resonant-tunneling diodes with high Ge fraction Si/strained Si 1−xGe x/Si(1 0 0) heterostructure
    Seo, Takahiro ; Takahashi, Kuniaki ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 8, S. 912-915
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Micro-RBS characterisation of the chemical composition and particulate deposition on pulsed laser deposited Si~1~ ~xGe~x thin films : Ion beam analysis
    Simon, A. ; Kantor, Z.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 190 (2002), Heft ES 1-4, S. 351-356
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Carrier transport properties of ion beam synthesised Si~1~ ~xGe~x alloy heavily doped with arsenic : Accelerators in applied research and technology
    Cerrina, C. ; Nejim, A. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 188 (2002), Heft NO 1-4, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    Epitaxial ErSi~2~ ~x on strained and relaxed Si~1~ ~xGe~x : Silicon epitaxy and heterostructures
    Travlos, A. ; Apostolopoulos, G. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 382-385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Growth of relaxed Si~1~ ~xGe~x layers using an oxygen doped Si(O) compliant layer : Silicon epitaxy and heterostructures
    Haq, E. ; Ni, W. X. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 355-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Low-temperature solid-phase crystallization of a-Si~1~ ~xGe~x on SiO~2 by ion-beam stimulation : Silicon epitaxy and heterostructures
    Tsunoda, I. ; Nagata, T. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 336-340
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Step-bunching and strain-effects in Si~1~ ~xGe~x layers and Superlattices grown on vicinal Si(001) : Silicon epitaxy and heterostructures
    Muhlberger, M. ; Schelling, C. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 257-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Super self-aligned technology of ultra-shallow junction in MOSFETs using selective Si~1~ ~xGe~x CVD : Silicon epitaxy and heterostructures
    Yamashiro, T. ; Kikuchi, T. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 120-124
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Photoluminescence of boron-doped Si~1~ ~xGe~x epilayers grown by UHV-CVD : Silicon epitaxy and heterostructures
    Rowell, N. L. ; Lafontaine, H. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, Jg. B89 (2002), Heft NO 1-3, S. 141-145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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