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84 Treffer

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    Optimisation des mémoires résistives OxRAM à base d’oxydes métalliques pour intégration comme mémoires embarquées dans un nœud technologique CMOS avancé ; Optimization of the Oxide-Resistive RAM technology in view of its applications as embedded memories in advanced CMOS nodes
    Azzaz, Mourad ; Université Grenoble Alpes (ComUE) ; et al.
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Compréhension de l'apport des contraintes mécaniques sur les performances électriques des transistors avancés sur SOI
    Idrissi-El Oudrhiri, Anouar
    2016
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Understanding of mechanical stress contribution on the electrical performances of advanced transistors on SOI
    Idrissi-El Oudrhiri, Anouar ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; et al.
    2016
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Etude et mise en oeuvre de transitions passives aux interfaces circuit/boîtier pour les bases de temps intégrées résonantes
    Gamet, Arnaud
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Understanding of mechanical stress contribution on the electrical performances of advanced transistors on SOI ; Compréhension de l'apport des contraintes mécaniques sur les performances électriques des transistors avancés sur SOI
    Idrissi-El Oudrhiri, Anouar ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01501255 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2016. Français. ⟨NNT : 2016GREAT074⟩, 2016
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Compréhension de l'apport des contraintes mécaniques sur les performances électriques des transistors avancés sur SOI ; Understanding of mechanical stress contribution on the electrical performances of advanced transistors on SOI
    Idrissi-El Oudrhiri, Anouar ; Université Grenoble Alpes (ComUE) ; et al.
    2016
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Etude et mise en oeuvre de transitions passives aux interfaces circuit/boîtier pour les bases de temps intégrées résonantes ; Study and implementation of passive transitions at die/package interface dedicated to integrated time base
    Gamet, Arnaud ; Aix-Marseille ; et al.
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel
    Plourde, Maxime ; STAR, ABES
    2022
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Design and fabrication of tunnel effect-based non-linear selectors ; Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel
    Plourde, Maxime ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03938223 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2022. Français. ⟨NNT : 2022LYSEI029⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel ; Design and fabrication of tunnel effect-based non-linear selectors
    Plourde, Maxime ; Lyon ; et al.
    2022
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Caractérisation électrique et analyse de mémoires non-volatiles embarquées à base de matériaux ferroélectriques ; Electrical characterization and analysis of energy efficient embedded non-volatile memory based on ferroelectric materials
    François, Terry ; Aix-Marseille ; et al.
    2022
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Étude de l’effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium
    Cazimajou, Thibauld ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    2019
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Study of field effect and transport in random percolating networks of silicon nanowires
    Cazimajou, Thibauld ; STAR, ABES ; et al.
    2019
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Study of field effect and transport in random percolating networks of silicon nanowires ; Étude de l’effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium
    Cazimajou, Thibauld ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02894884 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2019. Français. ⟨NNT : 2019GREAT105⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Étude de l’effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium ; Study of field effect and transport in random percolating networks of silicon nanowires
    Cazimajou, Thibauld ; Université Grenoble Alpes (ComUE) ; et al.
    2019
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Développement de technique de procédé de fabrication innovante et de nouvelle architecture de transistor MOS
    Marzaki, Abderrezak
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Propriétés électriques et modélisation des dispositifs MOS avanvés : dispositif FD-SOI, transistors sans jonctions (JLT) et transistor à couche mince à semi-conducteur d'oxyde amorphe. Electrical properties and modeling of advanced MOS devices : FD-SOI device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor
    Park, So Jeong
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Propriétés électriques et modélisation des dispositifs MOS avanvés : dispositif FD-SOI, transistors sans jonctions (JLT) et transistor à couche mince à semi-conducteur d'oxyde amorphe
    Park, So Jeong
    2013
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Electrical properties and modeling of Advanced MOS devices : FD-SOI Tri-gate device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor
    Park, So Jeong ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    2013
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Intégration et caractérisation électrique d'éléments de mémorisation à commutation de résistance de type back-end à base d'oxydes métalliques.
    Tirano, Sauveur
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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