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    A compact-charge LDD-MOSFET model
    Klein, Peter
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-09-01), Heft 9, S. 1483-1490
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Advantages of LDD-only implanted fluorine with submicron CMOS technologies
    Mogul, Homyar C. ; Rost, Timothy A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-03-01), Heft 3, S. 388-394
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Low-frequency noise in proton damaged by LDD MOSFET's
    Hardy, Timothy ; Deen, M. Jamal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-07-01), Heft 7, S. 1339-1346
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    P-25: The Analysis of Kink Effect in LTPS TFTs with LDD and Source Contacted Bottom Shield Metal
    Jong Suk Kang ; Kyung Ho Lee ; et al.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 48 (2017-05-01), S. 1318-1322
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Mechanical stress analysis of an LDD MOSFET structure
    Ferreira, Paul ; Senez, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-09-01), Heft 9, S. 1525-1532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Features and mechanisms of the saturating hot-carrier degradation in LDD NMOSFET's
    Raychaudhuri, A. ; Deen, M.J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-07-01), Heft 7, S. 1114-1122
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    A new extraction algorithm for the metallurgical channel length of conventional and LDD MOSFET's
    Jean, Yuh-Sheng ; Wu, Ching-Yuan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-06-01), Heft 6, S. 946-953
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    An efficient method for characterizing time-evolutional interface state and its correlation with the device degradation in LDD n-MOSFET's
    Lee, Robert Giahn-Horng ; Wu, Jiunn-Pey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-06-01), Heft 6, S. 898-903
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    A new method for characterizing the spatial distributions of interface states and oxide-trapped charges in LDD n-MOSFET's
    Robert Giahn-Horng Lee ; Su, Jen-Shien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996), Heft 1, S. 81-89
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions
    Miyoshi, Toshinobu ; Hatsui, Takaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), S. 2293-2298
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Gain-enhanced LDD NMOS device using cesium implantation
    Pfiester, James R. ; Alvis, John R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-06-01), Heft 6, S. 1469-1476
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Gate-fringing field effects on high performance in high dielectric LDD spacer MOSFET's
    Mizuno, Tomohisa ; Kobori, Takashi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-04-01), Heft 4, S. 982-989
    Online academicJournal
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    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    6.4: The Effect of LDD Structure on the Characteristics of TFT Devices
    Rusheng, Liu ; Li, Junfeng ; et al.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 50 (2019-09-01), S. 55-56
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Extraction of metallurgical effective channel length in LDD MOSFET's
    Hong, Soonwon ; Lee, Kwyro
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 42 (1995-08-01), Heft 8, S. 1461-1466
    Online academicJournal
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    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Two-stage hot-carrier degradation and its impact on submicrometer LDD NMOSFET lifetime prediction
    Chan, Vei-Han ; Chung, James E.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 42 (1995-05-01), Heft 5, S. 957-962
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    A new approach for modeling of current degradation in hot-electron damaged LDD NMOSFETs
    Ytterdal, T. ; Kim, S. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 42 (1995-02-01), Heft 2, S. 362-365
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    The device characteristics of missing LDD implantation via nanoprobing techniques for localized failure analysis
    Wu, Xiaojing ; Lai, LiLung
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-07-01), S. 1144-1151
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    A unified model for the self-limiting hot-carrier degradation in LDD n-MOSFET's
    Ang, D.S. ; Ling, C.H.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998), Heft 1, S. 149-159
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Effects of hot carrier induced interface state generation in submicron LDD MOSFET's
    Wang, Tahui ; Huang, Chimoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994-09-01), Heft 9, S. 1618-1622
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    An experimental study of the Fowler-Nordheim tunneling induced degradation of LDD PMOSFET's
    Pan, Y.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994-02-01), Heft 2, S. 268-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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