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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Complex Waveform Analysis for Advanced CMOS ICs
    Niu, Baohua ; Abuayob, Eli ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2016-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Capturing Defects in Flip-Chip CMOS Devices Using Backside EBAC Technique and SEM Microscopy
    Li, Yuanjing ; Howard Lee Marks ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2016-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Experimental Demonstration of the Effects of Laser Pulse Duration on SEU and LADA in CMOS Devices
    Lin, Zhao ; Chua, C.M. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2016-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Identification of Wet Chemical Deprocessing Induced Artifacts—A Common Problem Affecting All MOS and CMOS Technologies
    Mendaros, Raymond G. ; Mazon, Bernardino D. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2016-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Delineate lightly doped CMOS N-well with wet etch.
    Hamilton, Doug ; Tan, Phoumra
    In: Electronic Device Failure Analysis, Jg. 17 (2015-05-01), Heft 2, S. 2
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    75. Design for Failure Analysis in a 24 GHz Low-Noise Amplifier for Short Range Radar Applications Created in Silicon CMOS Technology
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2017 - Conference Proceedings from the 43rd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 5-9, 2017, Pasadena Convention Center, Pasadena, California, USA; (2017)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    16. Scanning Surface Photovoltage Microscopy (SSPVM) for Stress Analysis in Nanoscale CMOS Devices
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2017 - Conference Proceedings from the 43rd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 5-9, 2017, Pasadena Convention Center, Pasadena, California, USA; (2017)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Analysis of an Anomalous CMOS Transistor Exhibiting Drain to Source Leakage—Its Model and Cause
    VanVianen, Alex ; Wang, Xiang D. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2014-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Ultra-Low Voltage Time-Resolved Emission Measurements from 32 nm SOI CMOS Integrated Circuits
    Lundquist, Ted R. ; Weger, Alan J. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2014-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    32 nm CMOS SOI Test Site for Emission Tool Evaluation
    Kim, Seongwon ; Kwark, Young H. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2013-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    SEM-Based Nanoprobing on 40, 32 and 28 nm CMOS Devices Challenges for Semiconductor Failure Analysis
    Paul, Erik ; Herzog, Holger ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2013-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    99. Experimental Demonstration of the Effects of Laser Pulse Duration on SEU and LADA in CMOS Devices
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2016 - Conference Proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 6-10, 2016, Fort Worth Convention Center, Fort Worth, Texas, USA; (2016)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    38. Identification of Wet Chemical Deprocessing Induced Artifacts - A Common Problem Affecting All MOS and CMOS Technologies
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2016 - Conference Proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 6-10, 2016, Fort Worth Convention Center, Fort Worth, Texas, USA; (2016)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    36.2.2 Case Study 2: FA on CMOS Defect
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2016 - Conference Proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 6-10, 2016, Fort Worth Convention Center, Fort Worth, Texas, USA; (2016)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    22. Capturing Defects in Flip-Chip CMOS Devices Using Backside EBAC Technique and SEM Microscopy
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2016 - Conference Proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 6-10, 2016, Fort Worth Convention Center, Fort Worth, Texas, USA; (2016)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    11.3.2.2 14 nm MPU CMOS- Pass-Gate/Latch Circuit Waveform Analysis
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2016 - Conference Proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 6-10, 2016, Fort Worth Convention Center, Fort Worth, Texas, USA; (2016)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    11. Complex Waveform Analysis for Advanced CMOS ICs
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2016 - Conference Proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 6-10, 2016, Fort Worth Convention Center, Fort Worth, Texas, USA; (2016)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    11.3.2 Complex Waveforms Analysis: Common CMOS Circuits
    International, ASM
    In: ISTFA™ 2016 - Conference Proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, November 6-10, 2016, Fort Worth Convention Center, Fort Worth, Texas, USA; (2016)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Professors from Technische Universitat Munchen, Germany, developed a cost-effective process to improve the performance of CMOS (complementary metal oxide semiconductor) sensors.
    In: Advanced Materials & Processes, Jg. 171 (2013-03-01), Heft 3, S. 1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Advanced CMOS Device Fault Isolation Using Frequency Mapping on Passive Structures
    Zhang, Henry ; You, G.F. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2013-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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