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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Electrical properties and thermal stability of CVD HfOxNy gate dielectric with poly-Si gate electrode
    Choi, C.H. ; Jeon, T.S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-04-01), Heft 4, S. 215-217
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Characterization of FeCl3 Intercalation Doped CVD Few-Layer Graphene
    Liu, W. ; Kang, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-09-01), Heft 9, S. 1246-1246
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Large-Grain Polycrystalline Silicon Solar Cell on Epitaxial Thickening of AIC Seed Layer by Hot Wire CVD
    Wang, J. H. ; Lien, S. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010), Heft 1, S. 38-40
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    ICP-CVD SiN Passivation for High-Power RF InAlGaN/GaN/SiC HEMT
    Aubry, R. ; Jacquet, J.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-05-01), Heft 5, S. 629-629
    Online academicJournal
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    Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    MOS characteristics of ultrathin CVD HfAlO gate dielectrics
    Bae, S.H. ; Lee, C.H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-09-01), Heft 9, S. 556-558
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Thin-film transistors on plastic and glass substrates using silicon deposited by microwave plasma ECR-CVD
    Teng, Lihong ; Anderson, W.A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-06-01), Heft 6, S. 399-401
    Online academicJournal
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    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Leakage mechanism in Cu damascene structure with methylsilane-doped low-K CVD oxide as intermetal dielectric
    Wu, Zhen-Cheng ; Chiang, Chiu-Chih ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-06-01), Heft 6, S. 263-265
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Evidence for two distinct positive trapped charge components in NBTI stressed p-MOSFETs employing ultrathin CVD silicon nitride gate dielectric
    Ang, D.S. ; Pey, K.L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-09-01), Heft 9, S. 637-639
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    High transmittance TFT-LCD panels using low-/spl kappa/ CVD films
    Hong, Wan-Shick ; Jung, Kwan-Wook ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-06-01), Heft 6, S. 381-383
    Online academicJournal
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    TDDB and polarity-dependent reliability of high-quality, ultrathin CVD HfO/sub 2/ gate stack with TaN gate electrode
    Lee, Sungjoo ; Kwong, D.L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004), Heft 1, S. 13-15
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Gate etch induced diode leakage prevention with 7-nm CVD stacked gate dielectric
    Perera, A.H. ; Tseng, Hsing-Huang
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-11-01), Heft 11, S. 528-530
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Extremely high transconductance Ge/Si/sub 0.4/Ge/sub 0.6/ p-MODFET's grown by UHV-CVD
    Koester, S.J. ; Hammond, R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-03-01), Heft 3, S. 110-112
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Low-frequency noise characteristics of UHV/CVD epitaxial Si- and SiGe-base bipolar transistors
    Cressler, J.D. ; Vempati, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996), Heft 1, S. 13-15
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Ultrathin nitride/oxide (N/O) gate dielectrics for p/sup +/-polysilicon gated PMOSFETs prepared by a combined remote plasma enhanced CVD/thermal oxidation process
    Wu, Y. ; Lucovsky, G.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-10-01), Heft 10, S. 367-369
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Collector-base junction avalanche multiplication effects in advanced UHV/CVD SiGe HBTs
    Niu, G. ; Cressler, J.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-08-01), Heft 8, S. 288-290
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Ionizing radiation tolerance and low-frequency noise degradation in UHV/CVD SiGe HBT's
    Babcock, J.A. ; Cressler, J.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995-08-01), Heft 8, S. 351-353
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    A selected-area CVD method for deposition of sensing films on monolithically integrated gas detectors
    Majoo, Sanjeev ; Schwank, J.W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995-06-01), Heft 6, S. 217-219
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Enhancement mode InP MISFET's with sulfide passivation and photo-CVD grown P3N5 gate insulators
    Jeong, Yoon-Ha ; Jo, Seong-Kue ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995-03-01), Heft 3, S. 109-111
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Performance and reliability enhancement for CVD tungsten polycided CMOS transistors due to fluorine incorporation in the gate oxide
    Chen, I. C. ; Rodder, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 15 (1994-09-01), Heft 9, S. 351-353
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Sulfide treated GaAs MISFET's with gate insulator of photo-CVD grown P/sub 3/N/sub 5/ film
    Jeong, Yoon-Ha ; Choi, Ki-Hawn ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 15 (1994-07-01), Heft 7, S. 251-253
    Online academicJournal
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