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    Measurement of collector-base junction avalanche multiplication effects in advanced UHV/CVD SiGe HBT's.
    Niu, Guofu ; Cressler, John D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-05-01), Heft 5, S. 1007-1015
    Online academicJournal
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    Undoped epitaxial Si channel n-MOSFET grown by UHV-CVD with preheating.
    Ohguro, Tatsuya ; Sugiyama, Naoharu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-03-01), Heft 3, S. 710-716
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Low Contact Resistivity to Ge Using In-Situ B and Sn Incorporation by Chemical Vapor Deposition.
    Tsai, Chung-En ; Lu, Fang-Liang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 5053-5058
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    a-IGZO TFTs With Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposited SiOx Gate Dielectric.
    Xiao, Xiang ; Deng, Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-08-01), Heft 8, S. 2687-2690
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Batch-Fabricated WSe₂-on-Sapphire Field-Effect Transistors Grown by Chemical Vapor Deposition.
    Asghari Heidarlou, M. ; Paletti, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1839-1844
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Boron Delta-Doping Dependence on Si/SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes Grown by Chemical Vapor Deposition.
    Ramesh, Anisha ; Growden, Tyler A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), Heft 3, S. 602-609
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Radio-Frequency Transistors Using Chemical-Vapor-Deposited Monolayer Graphene: Performance, Doping, and Transport Effects.
    Nayfeh, Osama M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-09-01), Heft 9, S. 2847-2853
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Esaki Diodes Based on 2-D/3-D Heterojunctions.
    Xu, Kai ; Cai, Yuhang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4155-4159
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Dopant Recovery in Epitaxial Ge on SOI by Laser Annealing With Device Applications.
    Lu, Fang-Liang ; Tsai, Chung-En ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2925-2931
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    First Operation of a Step-Frequency Tunable 1-MW Gyrotron With a Diamond Brewster Angle Output Window.
    Gantenbein, Gerd ; Samartsev, Andrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-06-01), Heft 6, S. 1806-1811
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling.
    Dorow, Chelsey ; O'Brien, Kevin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6592-6598
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Thin-Film Silicon Heterojunction FETs for Large Area and Flexible Electronics: Design Parameters and Reliability.
    Hekmatshoar, Bahman
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-11-01), Heft 11, S. 3524-3529
    Online academicJournal
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    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Mobility Degradation and Series Resistance in Graphene Field-Effect Transistors.
    Jeppson, Kjell ; Asad, Muhammad ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 3091-3095
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Versatile Compact Model for Graphene FET Targeting Reliability-Aware Circuit Design.
    Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-03-01), Heft 3, S. 757-763
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Graphene-Based Heat Spreader for Flexible Electronic Devices.
    Bae, Sang-Hoon ; Shabani, Roxana ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4171-4175
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    UV-Sensitive Low Dark-Count PureB Single-Photon Avalanche Diode.
    Qi, Lin ; Mok, K. R. C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), Heft 11, S. 3768-3774
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    The Effect of Germanium Fraction on High-Field Band-to-Band Tunneling in p^+-SiGe/n^+-SiGe Junctions in Forward and Reverse Biases.
    Li, Jiun-Yun ; Sturm, James C.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-08-01), Heft 8, S. 2479-2484
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    Use of Amorphous Silicon for Active Photonic Devices.
    Della Corte, Francesco Giuseppe ; Rao, Sandro
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-05-01), Heft 5, S. 1495-1505
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  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Enhancement of the Flatband Modulation of Ni-Silicided Gates on Hf-Based Dielectrics.
    Yang, Jian-Jun ; Wang, Xin-Peng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-08-01), Heft 8, S. 2238-2245
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  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    New Observation of Mobility and Reliability Dependence on Mechanical Film Stress in Strained Silicon CMOSFETs.
    Han, In-Shik ; Ji, Hee-Hwan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-06-01), Heft 6, S. 1352-1358
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