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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Device physics and design of T-gate Schottky barrier tunnel FET with adaptive operation mechanism
    Wang, Yangyuan ; Huang, Qianqian ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 29 (2014-08-05), S. 095013-95013
    Online unknown
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    Integration of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor 1-Bit Analog Selectors and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature
    Saraya, Takuya ; Suzuki, Ryota ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-03-21), S. 04CJ05
    Online unknown
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  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Evaluation of Seebeck coefficients in n- and p-type silicon nanowires fabricated by complementary metal–oxide–semiconductor technology
    Zyung, Taehyoung ; Jang, Moongyu ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-09-20), S. 405707-405707
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Layout Dependent Induced Leakage and its Prevention with Different Shallow Trench Isolation Schemes in 0.18 µm Dual Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology
    Seong Yeol Mun ; Sang Bum Huh ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-01-10), S. 375-377
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Multicore Large-Scale Integration Lifetime Extension by Negative Bias Temperature Instability Recovery-Based Self-Healing
    Kobayashi, Kazutoshi ; Makino, Hiroaki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-04-01), S. 04DE02
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    RF Performance of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Grown on Silicon (110)
    Bolognesi, Colombo R. ; Cordier, Yvon ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 4 (2011-06-02), S. 064105-64105
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Low Contact Resistivity with Low Silicide/p+-Silicon Schottky Barrier for High-Performance p-Channel Metal–Oxide–Silicon Field Effect Transistors
    Goto, Tetsuya ; Sugawa, Shigetoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DA03
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Monolithic integration of a micromachined piezoresistive flow sensor
    Zhang, Dacheng ; Li, Dan ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 20 (2010-02-18), S. 035024-35024
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Novel Concept Design for Complementary Metal Oxide Semiconductor CapacitiveZ-Direction Accelerometer
    Chou, Hwai-Pwu ; Tien Li Chang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-21), S. 076508-76508
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Strategies for integration of lasers on silicon
    Mark Anthony Gubbins ; Bower, Christopher A. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-08-21), S. 094001-94001
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Progress in complementary metal–oxide–semiconductor silicon photonics and optoelectronic integrated circuits
    Beiju, Huang ; Zanyun, Zhang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-12-01), S. 121001-121001
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Investigation of A 450 V Rating Silicon-On-Insulator Lateral-Double-Diffused-Metal–Oxide– Semiconductor Fabrication by 12/25/5/40 V Bipolar-Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Double-Diffused Metal–Oxide–Semiconductor Process on Bulk Silicon Substrate
    Fang Long Chang ; Liaw, Chorng-Wei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-07-01), S. 4119-4119
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Wafer-Scale Flexible Surface Acoustic Wave Devices Based on an AlN/Si Structure
    Wang, Zhe ; Zhou, Changjian ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 30 (2013-07-01), S. 077701-77701
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Fabrication and characteristics of magnetic field sensors based on nano-polysilicon thin-film transistors
    Zhiqiang, Wang ; Xiaofeng, Zhao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 34 (2013-03-01), S. 036001-36001
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    High Sensitivity Magnetic Field Sensors Based on Nano-Polysilicon Thin-Film Transistors
    Zhuang, Cui-Cui ; Liu, Gang ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 29 (2012-11-01), S. 118501-118501
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Impact of Strained-Si Channel on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Performance under the Sub-100 nm Regime
    Matsuzawa, Kazuya ; Hatakeyama, Tetsuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 40 (2001-04-01), S. 2627-2627
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Modeling and characterization of shielded low loss CPWs on 65 nm node silicon
    Hongrui, Wang ; Zhiping, Yu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 32 (2011-06-01), S. 064009-64009
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Integration of Micro-Light-Emitting-Diode Arrays and Silicon Driver for Heterogeneous Optoelectronic Integrated Circuit Device
    Iwayama, Sho ; Chiba, Jun-Ichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-01), S. 04DG12
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Improved Retention Characteristic in Polycrystalline Silicon–Oxide–Hafnium Oxide–Oxide–Silicon-Type Nonvolatile Memory with Robust Tunnel Oxynitride
    Chih Ren Hsieh ; Yuan Kai Zheng ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-03-01), S. 036503-36503
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Performance Enhancement in Multi Gate Tunneling Field Effect Transistors by Scaling the Fin-Width
    Heyns, Marc ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DC10
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