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    A 14-bit 1-GS/s Pipelined-SAR ADC in 28-nm CMOS with Foreground and Background Calibration
    Han, Shuai ; Li, Zhiyang ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2613, issue 1, page 012014 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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    Tolerance of the MIMOSIS-1 CMOS Monolithic Active Pixel Sensor to ionizing radiation
    Darwish, H. ; Andary, J. ; et al.
    In: ISSN: 1748-0221 ; Journal of Instrumentation ; https://hal.science/hal-04152857 ; Journal of Instrumentation, 2023, 18 (06), pp.C06013. ⟨10.1088/1748-0221/18/06/C06013⟩, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Design of an integrated circuit with blanking technique for neural signal recording based on CMOS
    Zhu, Jiayu ; Mo, Xiaorui ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2649, issue 1, page 012067 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Design of Low-Drop-Out Voltage Regulator using CMOS Technology for Microprocessor Applications
    Kusumanchi, TPS Kumar ; Ernest Ravindran, R S ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2471, issue 1, page 012017 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Improvement of on-pixel polarizer with 0.35 μm CMOS process for electro-optic imaging systems
    Okada, Ryoma ; Sasagawa, Kiyotaka ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 62, issue SC, page SC1052 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2023
    academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Radiation hard true single-phase-clock logic for high-speed circuits in 28 nm CMOS
    Klekotko, A. ; Baszczyk, M. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 18, issue 02, page C02068 ; ISSN 1748-0221, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Influence of Pixel Design on Charge Transfer in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Liu, Lu ; Yang, Shaohua ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2440, issue 1, page 012003 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    THz near-field intensity distribution imaging in the 0.3 THz band using a highly sensitive polarization CMOS image sensor using a 0.35 μm CMOS process
    Okada, Ryoma ; Mizuno, Maya ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 63, issue 3, page 03SP66 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2024
    academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Wafer-scale fabrication of isolated luminescent silicon quantum dots using standard CMOS technology
    2020
    Online Elektronische Ressource
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  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Wafer-scale fabrication of isolated luminescent silicon quantum dots using standard CMOS technology
    2020
    Online Elektronische Ressource
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    Wafer-scale fabrication of isolated luminescent silicon quantum dots using standard CMOS technology
    2020
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    Wafer-scale fabrication of isolated luminescent silicon quantum dots using standard CMOS technology
    2020
    Online Elektronische Ressource
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Wafer-scale fabrication of isolated luminescent silicon quantum dots using standard CMOS technology
    2020
    Online Elektronische Ressource
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Micrometric laser characterization of a 300μm fully-depleted monolithic active pixel sensor in standard 110 nm CMOS technology
    Giampaolo, R. A.
    2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Composite Gate Oxide Method for Improving the Reliability and Leakage Performance of Deep Submicron CMOS Processes
    Zhou, Yaohui ; Zhang, Song ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2645, issue 1, page 012009 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Design optimization of a Dual-Interlocked-Cell in 65 nm CMOS tolerant to Single Event Upsets
    Márquez, F. ; Palomo, F.R. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 18, issue 10, page P10023 ; ISSN 1748-0221, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    1.2 nJ/classification 2.4 mm 2 asynchronous wired-logic DNN processor using synthesized nonlinear function blocks in 0.18 μm CMOS
    Sumikawa, Rei ; Shiba, Kota ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 62, issue SC, page SC1019 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2023
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    Analysis of Three-Stage LNA Architecture for CMOS RF Front End
    Sathya, R ; Ambulker, Sunanda
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2466, issue 1, page 012017 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    A Low Energy Depletion CMOS Transistor-based 4-bit Absolute-value Detector
    Du, Chenyu ; Guo, Yucheng ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2435, issue 1, page 012012 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Design and Optimization of 4-bit Absolute-value Detector Based on CMOS
    Jia, Yu
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2435, issue 1, page 012011 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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