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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Time-Shared Twin Memristor Crossbar Reducing the Number of Arrays by Half for Pattern Recognition.
    Ngoc Truong, S ; Van Pham, K ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 12 (2017-12-01), Heft 1, S. 205
    Online academicJournal
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    The Characteristics of Binary Spike-Time-Dependent Plasticity in HfO <subscript>2</subscript> -Based RRAM and Applications for Pattern Recognition.
    Zhou, Z ; Liu, C ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 12 (2017-12-01), Heft 1, S. 244
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Charge Splitting In Situ Recorder (CSIR) for Real-Time Examination of Plasma Charging Effect in FinFET BEOL Processes.
    Tsai, YP ; Hsieh, TH ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 12 (2017-09-18), Heft 1, S. 534
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Vertical Silicon Nanowire Field Effect Transistors with Nanoscale Gate-All-Around.
    Guerfi, Y ; Larrieu, G
    In: Nanoscale research letters, Jg. 11 (2016-12-01), Heft 1, S. 210
    Online academicJournal
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    Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory.
    Li, Y ; Long, S ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 10 (2015-12-01), Heft 1, S. 420
    Online academicJournal
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    Tunneling in Systems of Coupled Dopant-Atoms in Silicon Nano-devices.
    Moraru, D ; Samanta, A ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 10 (2015-12-01), Heft 1, S. 372
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Conductive-bridging random access memory: challenges and opportunity for 3D architecture.
    Jana, D ; Roy, S ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 10 (2015-04-18), S. 188
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Inductive crystallization effect of atomic-layer-deposited Hf0.5Zr0.5O2 films for ferroelectric application.
    Zhang, X ; Chen, L ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 10 (2015-01-31), S. 25
    Online academicJournal
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    Released micromachined beams utilizing laterally uniform porosity porous silicon.
    Sun, X ; Keating, A ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 9 (2014-08-22), Heft 1, S. 426
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Dielectric properties of porous silicon for use as a substrate for the on-chip integration of millimeter-wave devices in the frequency range 140 to 210 GHz.
    Sarafis, P ; Nassiopoulou, AG
    In: Nanoscale research letters, Jg. 9 (2014-08-21), Heft 1, S. 418
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Vertical nanowire probes for intracellular signaling of living cells.
    Lee, KY ; Kim, I ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 9 (2014-02-03), Heft 1, S. 56
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Formation of silicon nanostructures with a combination of spacer technology and deep reactive ion etching.
    Bien, DC ; Lee, HW ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 7 (2012-06-06), Heft 1, S. 288
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    A compact model for magnetic tunnel junction (MTJ) switched by thermally assisted Spin transfer torque (TAS + STT).
    Zhao, W ; Duval, J ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 6 (2011-04-28), Heft 1, S. 368
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Biomolecules Detection Using a Silver-Enhanced Gold Nanoparticle-Based Biochip.
    Liu, Y ; Zhang, D ; et al.
    In: Nanoscale research letters, Jg. 5 (2010-02-02), Heft 3, S. 533-538
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