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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    A 11.3–16.6-GHz VCO With Constructive Switched Magnetic Coupling in 65-nm CMOS
    Lyu, Y. ; Song, C. ; et al.
    In: IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 1, S. 133-141
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Co-Design of an Auxiliary Self-Bias Module and a CMOS Rectifier for RF Energy Harvesting
    Jiang, H. ; Wu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 1481-1485
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    A 0.011%/V LS and −76-dB PSRR Self-Biased CMOS Voltage Reference With Quasi Self-Cascode Current Mirror
    Yu, K. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 1052-1056
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    A 20–43-GHz Low Phase Variation VGA With Feedforward Signal Suppression and Impedance-Invariant Techniques in 65-nm CMOS
    Zhang, Q. ; Wu, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-03-01), Heft 3, S. 1643-1656
    Online academicJournal
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    Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Nanogap CMOS-MEMS Pirani Gauge Based on Titanium-Nitride Heating Element for Broad-Range Vacuum Characterization
    Garg, M. ; Singh, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1214-1219
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Design and Characterization of CMOS Micromachined Piezoresistive Accelerometers
    Peng, C. ; Lu, M.S.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-02-01), Heft 3, S. 2500-2506
    Online academicJournal
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    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Uncooled Infrared Detection Using CMOS Transistor-Based Sensors
    He, Y. ; Liu, Y. ; et al.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-02-01), Heft 3, S. 2445-2451
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    A 0.39-mm2 Stacked Standard-CMOS Humidity Sensor Using a Charge-Redistribution Correlated Level Shifting Floating Inverter Amplifier and a VCO-Based Zoom CDC
    Li, H. ; Du, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-02-01), Heft 2, S. 435-448
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    A Low-Power Radiation-Hardened Ka-Band CMOS Phased-Array Receiver for Small Satellite Constellation
    Fu, X. ; You, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-02-01), Heft 2, S. 349-363
    Online academicJournal
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Impedance Sensing in CMOS-Embedded Microfluidics Using BEOL Electrodes
    Weng, W. ; Chien, J.
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 33 (2024-02-01), Heft 1, S. 110-117
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    MSR-Net: A Novel Noise Elimination Method for Real CMOS Image Sensor
    Luo, Y. ; Fu, L. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 78714-78725
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Design Criteria of High-Temperature Integrated Circuits Using Standard SOI CMOS Process up to 300°C
    Sbrana, C. ; Catania, A. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 57236-57249
    Online academicJournal
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    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    A 12-bit High-Speed Time-Interleaved Pipelined Asynchronous Successive-Approximation ADC in 22-nm FDSOI CMOS
    Karrari, H. ; Andreani, P. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 44115-44124
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    A Novel Hybrid RF-DC Converter Using CMOS n-Well Process
    Al-Absi, M.A. ; Al-Khulaifi, A.A.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 31243-31248
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    CMOS-RRAM Based Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory (nvTCAM)
    Kumar, M. ; Wu, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 23 (2024), S. 203-207
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    A 65nm Cryogenic CMOS Design and Performance at 4.2K for Quantum State Controller Application
    Tada, M. ; Okamoto, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 28-33
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    OLED Microdisplay With Monolithically Integrated CAAC-OS FET and Si CMOS Achieved by Two-Dimensionally Arranged Silicon Display Drivers
    Kozuma, M. ; Komura, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 187-194
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    SPAD Developed in 55 nm Bipolar-CMOS-DMOS Technology Achieving Near 90% Peak PDP
    Ha, W. ; Park, E. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 30 (2024), Heft 1: Single-Photon Technologies and Applications, S. 1-10
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    A Back-Illuminated SPAD Fabricated With 40 nm CMOS Image Sensor Technology Achieving Near 40% PDP at 940 nm
    Park, E. ; Ha, W. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 30 (2024), Heft 1: Single-Photon Technologies and Applications, S. 1-7
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Nonvolatile Latch Designs With Node-Upset Tolerance and Recovery Using Magnetic Tunnel Junctions and CMOS
    Yan, A. ; Wang, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 32 (2024), Heft 1, S. 116-127
    Online academicJournal
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