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445 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    MBE grown high quality GaN films and devices : III-V nitrides
    Kim, W. ; Aktas, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 169-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Nitrogen radical densities during GaN growth by molecular beam epitaxy, plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition, and conventional metalorganic chemical vapor deposition : III-V nitrides
    Sato, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 223-226
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Morphology of twinned GaN grown on (11.0) sapphire substrates : III-V nitrides
    Kato, T. ; Kung, P. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 227-230
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    MBE growth and properties of GaN on GaN/SiC substrates : III-V nitrides
    Johnson, M. A. L. ; Fujita, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 213-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Photoluminescence study of silicon-doped GaN grown by MBE on GaAs substrates : III-V nitrides
    Orton, J. W. ; Lacklison, D. E. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 219-222
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Low resistance ohmic contact to n-GaN with a separate layer method : III-V nitrides
    Wu, Y. F. ; Jiang, W. N. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 165-168
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    GaNAs grown by gas-source molecular beam epitaxy : III-V nitrides
    Kondow, M. ; Uomi, K. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 209-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Low pressure metalorganic vapor phase epitaxial growth of GaN/GaInN heterostructures : III-V nitrides
    Scholz, F. ; Haerle, V. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 141-144
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    XPS measurement of valence band discontinuity at GaP/GaN heterointerfaces : III-V nitrides
    Sato, H. ; Mihir Ranjan Sarkar ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 205-208
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Growth of AlN and GaN thin films via OMVPE and gas source MBE and their characterization : III-V nitrides
    Davis, R. F. ; Weeks, T. W. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 129-134
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Optical and magnetic resonance characterization of undoped and doped wurtzite GaN films deposited on sapphire substrates : III-V nitrides
    Freitas, J. A. ; Kennedy, T. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 185-188
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Properties of Mg and Zn acceptors in MOVPE GaN as studied by optically detected magnetic resonance : III-V nitrides
    Kunzer, M. ; Baur, J. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 189-194
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Optical characterization of GaN and related materials : III-V nitrides
    Monemar, B. ; Bergman, J. P. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 181-184
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Reactive ion etching of III-V nitrides : III-V nitrides
    Pearton, S. J. ; Shul, R. J. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 159-164
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Radiative recombination mechanisms in high brightness Nichia blue LEDs : III-V nitrides
    Osinski, M. ; Eliseev, P. G.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 155-158
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Heteroepitaxial growth on InN on Si(111) using a GaAs intermediate layer : III-V nitrides
    Yamamoto, A. ; Yamauchi, Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 149-154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    MOVPE growth of thick homogeneous InGaN directly on sapphire substrate using AlN buffer layer : III-V nitrides
    Shimizu, M. ; Kawaguchi, Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 145-148
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    TWN insider|lavender tube your gay guide to television.
    In: Weekly News: South Florida's Gay Community Newspaper, Jg. 28 (2004-12-02), Heft 13, S. 36-36
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    TWN insider|out & about your arts & entertainment calendar.
    In: Weekly News: South Florida's Gay Community Newspaper, Jg. 28 (2004-12-02), Heft 13, S. 26-26
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Preliminary ground-truthing of the Hong Kong-Macau-Zhuhai Bridge seismic surveys using the University of Hong Kong boreholes
    Chan, LS ; Yim, WWS ; et al.
    2005
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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