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    A 108-nW 0.8-mm 2 Analog Voice Activity Detector Featuring a Time-Domain CNN With Sparsity-Aware Computation and Sparsified Quantization in 28-nm CMOS.
    Chen, Feifei ; Un, Ka-Fai ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-11-01), Heft 11, S. 3288-3297
    Online academicJournal
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    A 0.5-V Multiple-Input Bulk-Driven OTA in 0.18-μm CMOS.
    Khateb, Fabian ; Kulej, Tomasz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022-11-01), Heft 11, S. 1739-1747
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 1.7-in, 33-Mpixel, 120-frames/s CMOS Image Sensor With Depletion-Mode MOS Capacitor-Based 14-b Two-Stage Cyclic A/D Converters.
    Yasue, Toshio ; Kitamura, Kazuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 153-161
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling.
    Dorow, Chelsey ; O'Brien, Kevin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6592-6598
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Design and Verification of a 6.25 GHz LC -Tank VCO Integrated in 65 nm CMOS Technology Operating up to 1 Grad TID.
    Monda, Danilo ; Ciarpi, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2524-2532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Calibration-Free CMOS Capacitive Sensor for Life Science Applications.
    Tabrizi, Hamed Osouli ; Forouhi, Saghi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Instrumentation & Measurement, Jg. 70 (2021-07-01), S. 1-12
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    A Low-Power 8-GS/s Comparator for High-Speed Analog-to-Digital Conversion in $0.13\mu$ m CMOS Technology.
    Mohtashemi, Darya ; Green, Michael M.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 64 (2019-04-01), Heft 4, S. 557-561
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Compact Modeling of Charge Transfer in Pinned Photodiodes for CMOS Image Sensors.
    Capoccia, Raffaele ; Boukhayma, Assim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 160-168
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    A 65-nm CMOS 6-bit 2.5-GS/s 7.5-mW 8 $\times$ Time-Domain Interpolating Flash ADC With Sequential Slope-Matching Offset Calibration.
    Oh, Dong-Ryeol ; Kim, Jong-In ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019), Heft 1, S. 288-297
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    A 24–72-GS/s 8-b Time-Interleaved SAR ADC With 2.0–3.3-pJ/Conversion and >30 dB SNDR at Nyquist in 14-nm CMOS FinFET.
    Kull, Lukas ; Luu, Danny ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-12-01), Heft 12, S. 3508-3516
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Dynamic Capacitance Model of a Pinned Photodiode in CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2892-2898
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Temporal Readout Noise Analysis and Reduction Techniques for Low-Light CMOS Image Sensors.
    Boukhayma, Assim ; Peizerat, Arnaud ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 72-78
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    A 24- \mu \textW 12-bit 1-MS/s SAR ADC With Two-Step Decision DAC Switching in 110-nm CMOS.
    Chung, Yung-Hui ; Yen, Chia-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 24 (2016-11-01), Heft 11, S. 3334-3344
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    A 5.2 Gb/s Receiver for Next-Generation 8K Displays in 180 nm CMOS Process.
    Wang, Tianyu ; Wei, Da ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-08-01), Heft 8, S. 2521-2531
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    A 0.0067-mm 2 12-bit 20-MS/s SAR ADC Using Digital Place-and-Route Tools in 40-nm CMOS.
    Tsai, Yao-Hung ; Liu, Shen-Iuan
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022-07-01), Heft 7, S. 905-914
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor.
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1299-1309
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Optimal Optical Receivers in Nanoscale CMOS: A Tutorial.
    Radi, Bahaa ; Abdelrahman, Diaaeldin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2604-2609
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters.
    Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2167-2172
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Optimization of the 65-nm CMOS Linear Front-End Circuit for the CMS Pixel Readout at the HL-LHC.
    Gaioni, L. ; Manghisoni, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 2682-2692
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Single-Chip CMOS Reconfigurable Dual-Band Tri-Mode High-Efficiency RF Amplifier Design.
    Zhai, Chenxi ; Liu, Hao-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 868-872
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