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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Variable-Temperature Noise Characterization of N-MOSFETs Using an In-Situ Broadband Amplifier
    Ohmori, K. ; Amakawa, S.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 1227-1236
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Effect of Statistical Dopant Fluctuations on Threshold Voltage of Emerging Devices
    Saha, S.K.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 985-994
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Analog Read Noise and Quantizer Threshold Estimation From Quanta Image Sensor Bit Density
    Fossum, E.R.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 269-274
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Characterization and Modeling of Quantum Dot Behavior in FDSOI Devices
    Pati Tripathi, S. ; Bonen, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 600-610
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Characterization of Plasma Process-Induced Low-Density Defect Creation by Lateral Junction Leakage
    Sato, Y. ; Shibata, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 769-777
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    Fully Depleted SOI Technology for Millimeter-Wave Integrated Circuits
    Raskin, J.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 424-434
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Optimization of Low-Voltage-Operating Conditions for MG-MOSFETs
    Ghosh, S. ; Miura-Mattausch, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 913-919
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Characterization and Analysis of On-Chip Microwave Passive Components at Cryogenic Temperatures
    Patra, B. ; Mehrpoo, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 448-456
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Physical Model of Low-Temperature to Cryogenic Threshold Voltage in MOSFETs
    Beckers, A. ; Jazaeri, F. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 780-788
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Statistical Analysis of Random Telegraph Noises of MOSFET Subthreshold Currents Using a 1M Array Test Chip in a 40 nm Process
    Chao, C.Y. ; Wu, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 972-984
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Correlation Image Sensor for Algebraic Solution of Optical Flow
    Ando, S. ; Nagase, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 170-179
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Statistical and Electrical Modeling of FDSOI Four-Gate Qubit MOS Devices at Room Temperature
    Catapano, E. ; Ghibaudo, G. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 582-590
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Analyze Scalable Sudoku-Type DTSCR ESD Protection Array Structures in 22nm FDSOI
    Li, C. ; Zhang, F. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 1137-1144
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    A Physical Charge-Based Analytical Threshold Voltage Model for Cryogenic CMOS Design
    Su, H. ; Cai, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. PP, Heft 99, S. 1-1
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    Investigation of Inversion Charge Characteristics and Inversion Charge Loss for InGaAs Negative-Capacitance Double-Gate FinFETs Considering Quantum Capacitance
    Huang, S. ; Lin, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 105-109
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    A Benchmark Study of Complementary-Field Effect Transistor (CFET) Process Integration Options Done by Virtual Fabrication
    Vincent, B. ; Boemmels, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 668-673
    Online academicJournal
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    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Substrate Engineering of Inductors on SOI for Improvement of Q-Factor and Application in LNA
    Bhaskar, A. ; Philippe, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 959-969
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Advanced FD-SOI and Beyond Low Temperature SmartCut™ Enables High Density 3-D SoC Applications
    Schwarzenbach, W. ; Nguyen, B. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 863-868
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    A Flexible 0.18 $\mu{\rm m}$ BiCMOS Technology Suitable for Various Applications
    Hashimoto, T. ; Nonaka, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 1 (2013-11-01), Heft 11, S. 181-190
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    On the Performance and Scaling of Symmetric Lateral Bipolar Transistors on SOI
    Ning, T. H. ; Cai, J.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 1 (2013), Heft 1, S. 21-27
    Online academicJournal
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