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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Selective area chemical vapor deposition of silicon by the alternating cyclic method : a thermodynamic analysis
    WANG, Q. S ; REISMAN, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 2, S. 593-602
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling the wafer temperature profile in a multiwafer LPCVD furnace
    BADGWELL, T. A ; TRACHTENBERG, I ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 1, S. 161-172
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    An exact algebraic solution for the incubation period of superfill
    JOSELL, D ; MOFFAT, T. P ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 1, S. C19- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Numerical analyses on thermofluid effects in horizontal silicon chemical vapor deposition reactors
    NARUSAWA, U
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 5, S. 1509-1517
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Continuous feed physical vapor transport: Toward high purity and long boule growth of SiC
    CHAUSSENDE, D ; BAILLET, F ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), Heft 10, S. G653- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Selective area chemical vapor deposition of Si1-xGexthin film alloys by the alternating cyclic method : A thermodynamic analysis. II. The system Si-Ge-Cl-H-Ar
    SOMAN, R ; REISMAN, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 11, S. 4342-4344
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    A reflectometric study of the reaction between Si and WF6 during W-LPCVD on Si and of the renucleation during the H2 reduction of WF6
    HOLLEMAN, J ; HASPER, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 138 (1991), Heft 3, S. 783-788
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Convection and mass-transport in laser-induced chemical vapor deposition
    PATNAIK, S ; BROWN, R. A
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 3, S. 697-706
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Modeling of LPCVD reactors: effect of empty inlet tube
    JOSHI, M. G
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 12, S. 3118-3122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    A model of growth rate nonuniformity in the simultaneous deposition and doping of a polycrystalline silicon film by LPCVD
    YECKEL, A ; MIDDLEMAN, S
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 5, S. 1275-1281
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    A two-dimensional step coverage boundary element model with consideration of moving deposition fronts
    CHING YI, TSAI ; DESU, S. B
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 7, S. 2128-2133
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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lg 992 - 1200
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