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    Effects of density of gas flow rate on large area diamond growth in hot filament chemical vapor deposition
    JIE, YU ; RONGFANG, HUANG ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 17 (1998), Heft 12, S. 1011-1013
    Online academicJournal
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    Scanning tunnelling microscopy of diamond deposition at the nanometre scale holes on highly orientated pyrolytic graphite
    YAMAGUCHI, N ; TERASHIMA, K ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 8, S. 626-628
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Preparation of silicon oxide films by ultraviolet-assisted rf plasma-enhanced chemical vapour deposition
    HOZUMI, A ; SUGIMOTO, N ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 10, S. 860-862
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Low pressure polymer precursor for synthesis of diamond at low temperature
    SUN, Z ; SHI, X ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 11, S. 933-935
    Online academicJournal
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    Enhanced nucleation and growth of diamond thin films using a nanodiamond monolayer
    GUERIN, D ; ISMAT SHAH, S
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 6, S. 476-478
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Diamond seed consolidation onto untreated silicon substrate
    CORAT, E. J ; FERREIRA, N. G ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 3, S. 197-199
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Diamond nucleation on smooth silicon with an electrolysis pretreatment in methanol liquid phase
    SHEN, M.-R ; WANG, H ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 4, S. 301-303
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Conductive indium-doped zinc oxide films prepared by atmospheric pressure chemical vapour deposition
    NISHINO, J ; KAWARADA, T ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 8, S. 629-631
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Characterization of an argon magnetron plasma by a cylindrical Langmuir probe
    KIM, S.-Y ; LEE, J.-S
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 7, S. 547-549
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Preparation of ZnO films on sapphire (0112) substrates by low-pressure organometallic chemical vapour deposition
    KOBAYASHI, K ; MATSUBARA, T ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 5, S. 457-459
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Formation of soot or diamond on the iron substrate in the chemical vapour deposition process of diamond
    HAHN, J. H ; HWANG, N. M ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 14, S. 1240-1242
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Effect of temperature on the formation of surface layers in plasma-assisted chemical vapour deposition processes carried out in an atmosphere containing Ti(OiC3H7)4 vapours
    SOBIECKI, J. R ; WIERZCHON, T ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 2, S. 159-161
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Depositition of surface layers by the LPCVD process conducted in a TiCl4-H2-N2 atmosphere : contribution of the carbon contained in the steel substrate and of total pressure of the gaseous atmosphere
    MICHALSKI, J
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 13, S. 1169-1171
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Control of etch pit density in low-pressure-grown 3C-SiC/Si by variation of reactor pressure
    TIN, C. C ; HU, R ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 9, S. 823-825
    Online academicJournal
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    Chemical vapour deposition of thin copper films using a new metalorganic precursor
    GOSWAMI, J ; RAGHUNATHAN, L ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 7, S. 573-575
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Preparation of (Tl,Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-O superconducting thin films by the mist microwave plasma chemical vapour deposition method
    TAKAHASHI, N ; KOUKITU, A ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 14 (1995), Heft 23, S. 1681-1683
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Preparation of hexagonal boron nitride by low pressure chemical vapour deposition in the BBr3+NH3+H2 system
    BYUNG JIN, CHOI ; DONG WON, PARK ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 14 (1995), Heft 6, S. 452-454
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    High-rate deposition of titanium silicides under high gas flow rate by chemical vapour deposition
    KAWAI, C
    In: Journal of materials science letters, Jg. 13 (1994), Heft 12, S. 860-862
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    Driving force for deposition in the chemical vapour deposition process
    HWANG, N. M ; YOON, D. Y
    In: Journal of materials science letters, Jg. 13 (1994), Heft 19, S. 1437-1439
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    In situ growing and etching of carbon nanotubes on silicon under microwave plasma
    TSAI, S. H ; SHIU, C. T ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 21 (2002), Heft 21, S. 1709-1711
    Online academicJournal
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