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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    Standby-Power-Free Integrated Circuits Using MTJ-Based VLSI Computing
    Hanyu, T. ; Endoh, T. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE, Proc. IEEE, Jg. 104 (2016-10-01), Heft 10, S. 1844-1863
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    True Random Number Generator Based on the Variability of the High Resistance State of RRAMs
    Akbari, M. ; Mirzakuchaki, S. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 66682-66693
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Integrated Imager and 3.22 μs/Kernel-Latency All-Digital In-Imager Global-Parallel Binary Convolutional Neural Network Accelerator for Image Processing
    Wang, R. ; Wu, C. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 74364-74378
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Efficient Implementation of Many-Ported Memories by Using Standard-Cell Memory Approach
    Marinberg, H. ; Garzon, E. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 94885-94897
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Static Random-Access Memory using Twelve Transistors Sleep Mode Circuit
    Sharma, Kanchan ; Kumar, Brijesh
    In: 2021 International Conference on Simulation, Automation & Smart Manufacturing (SASM), 2021-08-20, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    A Single-Ended Transmitter With Low Switching Noise Injection and Quadrature Clock Correction Schemes for DRAM Interface
    Ko, D. ; Lee, W.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 52273-52279
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    EXTENT: Enabling Approximation-Oriented Energy Efficient STT-RAM Write Circuit
    Seyedfaraji, S. ; Daryani, J.T. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 82144-82155
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    A Hybrid Low-Dropout (LDO) Regulator Using a Load Replication Circuit for DRAM Cores
    Son, J. ; Kim, J. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 121725-121732
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Compact SRAM-Based PUF Chip Employing Body Voltage Control Technique
    Nam, J. ; Ahn, J. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 22311-22319
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Compact Modeling of Negative Capacitance Nanosheet FET including Quasi-Ballistic Transport
    Gaidhane, A. D. ; Pahwa, G. ; et al.
    In: 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2020-04-01, S. 1-4
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Behavioral and Physical Unclonable Functions (BPUFs): SRAM Example
    Prada-Delgado, M.A. ; Baturone, I.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 23751-23763
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    10T SRAM Computing-in-Memory Macros for Binary and Multibit MAC Operation of DNN Edge Processors
    Nguyen, V.T. ; Kim, J. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 71262-71276
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Refresh Algorithm for Ensuring 100% Memory Availability in Gain-Cell Embedded DRAM Macros
    Golman, R. ; Nachum, N. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 105831-105840
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    An Improved Fast-Transient-Response Low-Transient-Voltage Boost Converter With Pseudo-Current Hysteresis-Controlled Techniques
    Hwang, Y. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 127270-127277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Radiofrequency Switches Based on Emerging Resistive Memory Technologies - A Survey
    Wainstein, N. ; Adam, G. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE, Proc. IEEE, Jg. 109 (2021), Heft 1, S. 77-95
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    A 32-nm Sub-Threshold 9T SRAM Bitcell with Improved Read and Write performance
    Gupta, Monica ; Gupta, Kirti ; et al.
    In: 2018 International Conference on Advances in Computing, Communication Control and Networking (ICACCCN), 2018-10-01, S. 781-787
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Binary and ternary convolutional neural network acceleration by in-nonvolatile memory computing with Voltage Control Spintronics Memory (VoCSM)
    Ikegami, K. ; Inokuchi, T. ; et al.
    In: 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2019-03-01, S. 225-227
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    Design and Evaluation of a 28-nm FD-SOI STT-MRAM for Ultra-Low Power Microcontrollers
    Patrigeon, G. ; Benoit, P. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 7 (2019), S. 58085-58093
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Multi-Port 1R1W Transpose Magnetic Random Access Memory by Hierarchical Bit-Line Switching
    Chang, L. ; Wang, Z. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 7 (2019), S. 110463-110471
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Spintronics and Security: Prospects, Vulnerabilities, Attack Models, and Preventions
    Ghosh, S.
    In: Proceedings of the IEEE, Proc. IEEE, Jg. 104 (2016-10-01), Heft 10, S. 1864-1893
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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