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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Write operation study of Co/BTO/LSMO ferroelectric tunnel junction
    Klein, Jacques-Olivier ; Zhao, Weisheng ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-07-28), S. 044108-44108
    Online unknown
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  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Role of point defects and HfO2/TiN interface stoichiometry on effective work function modulation in ultra-scaled complementary metal–oxide–semiconductor devices
    Murali, Kota V. R. M. ; Kwon, Unoh ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-07-21), S. 034505-34505
    Online unknown
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Metal-dielectric band alignment and its implications for metal gate complementary metal-oxide-semiconductor technology
    Hu, Chenming ; Yeo, Yee-Chia ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-12-15), S. 7266-7271
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Lateral profiling of impurity surface concentration in submicron metal–oxide–silicon transistors
    Sah, Chih-Tang ; Wang, Yih
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-10-01), S. 3539-3550
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Design and fabrication of organic complementary circuits
    Li, Wenjie ; Dodabalapur, Ananth ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-05-01), S. 5125-5132
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Study of direct tunneling through ultrathin gate oxide of field effect transistors using Monte Carlo simulation
    Cassan, Eric ; Hesto, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-10-01), S. 3804-3811
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Nano-textured high sensitivity ion sensitive field effect transistors
    Mohajerzadeh, Shams ; Shahsafi, Alireza ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-02-07), S. 054303-54303
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    The demonstration of the Si nano-tube device with the promising short channel control
    Liao, Ming-Han ; Chen, Peilin
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-10-07), S. 135705-135705
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Gate length and temperature dependence of negative differential transconductance in silicon quantum well metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Lee, Mark ; Naquin, Clint ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-09-28), S. 124505-124505
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Fully integrated detection of single magnetic beads in complementary metal-oxide-semiconductor
    Florescu, Octavian ; Mattmann, Moritz ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-02-15), S. 046101-46101
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Magneto-optical observation of surface currents in microelectronic circuits
    Lebedev, S. V. ; Egorov, A. N.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-05-01), S. 5362-5364
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Electrochemically controlled transport of lithium through ultrathin SiO2
    Sadoway, Donald R. ; Ariel, Nava ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-07-15), S. 023516-23516
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Methods of high current magnetic field generator for transcranial magnetic stimulation application
    Weber, Robert J. ; Narimdinda Robert Bouda ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), S. 17B319
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    A fully automated in vitro diagnostic system based on magnetic tunnel junction arrays and superparamagnetic particles
    Zhang, Suohui ; Chen, Si ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-04-01), S. 07B315
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Scalability of spin field programmable gate array: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor
    Saito, Yoshiaki ; Ikegami, Kazutaka ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-04-01), S. 07C312
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    DNA detection using a complementary metal-oxide semiconductor ring oscillator circuit
    Kocanda, Martin ; Abdel-Motaleb, Ibrahim
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-10-01), S. 076103-76103
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Dynamic compact model of thermally assisted switching magnetic tunnel junctions
    M. El Baraji ; Prenat, Guillaume ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-12-15), S. 123906-123906
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    An in-depth noise model for giant magnetoresistance current sensors for circuit design and complementary metal–oxide–semiconductor integration
    Reig, Candid ; Ferreira, Ricardo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-05-07), S. 17E514
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Resistive switching with self-rectifying behavior in Cu/SiOx/Si structure fabricated by plasma-oxidation
    Zeng, Fei ; Liu, H. Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-06-28), S. 244502-244502
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Effects of postdeposition annealing ambient on hysteresis in an Al2O3/GeO2 gate-dielectric stack on Ge
    Toyota, Hiroshi ; Otani, Yohei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-07-15), S. 026108-26108
    Online unknown
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