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829 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Fabrication of infrared LEDs/LDs at wavelength of 1.5 μm using LPE grown wafer
    BAYUWATI, D ; MASBAH ROTUANTA TAGORE, SIREGAR ; et al.
    In: Design, fabrication, and characterization of photonic devices (Singapore, 30 November - 3 December 1999), 1999, S. 507-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Georgiev, S. ; Donchev, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 574 (2021-11-01), S. 126335-126335
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    2 K photoluminescence of indirect GAP AlxGa1-xAs alloys grown under near-equilibrium conditions by LPE
    MARTINEZ-CRIADO, G ; PURON-SOPENA, E ; et al.
    In: Optical materials (Amsterdam), Jg. 10 (1998), Heft 2, S. 137-142
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    K-nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Gao.5P
    JEONG, B. S ; CHOI, J. S ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 82 (1992), Heft 1, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Photoluminescence of LPE-grown InAs1-x-ySbxPy for 2.55 μm lasers
    KRIER, A ; ROWE, D. R
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 13 (1992), Heft 4-5, S. 225-231
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    LPE growth of undoped n-type GaAs at 636°C with extremely low compensation
    OHSAWA, J ; TOMITA, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 116 (1992), Heft 3-4, S. 351-356
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Gettering properties of praseodymium in InGaP LPE growth
    LAI, M. Z ; CHANG, L. B
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 5, S. 623-627
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Donor gettering of LPE (liquid-phase-epitaxy)InGaAsP layers in the presence of Er
    MENG-CHYI, WU ; EN-HSING, CHEN ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11A, S. 2679-2682
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Crystalline quality of extremely-low-temperature-grown LPE-GaSb
    KITAMURA, N ; UEKITA, H ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 10 (1991), Heft 9-10, S. 417-420
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    LPE growth and phase stability of In1-xGaxP at 740C
    CHOI, J. S ; LYOU, H. S ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 125 (1991), Heft 1, S. K27- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    LPE lateral overgrowth of GaP
    ZHANG, S ; NISHINAGA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 3, S. 545-550
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Investigation of LPE grown dilute nitride InGaAs(Sb)N layers for photovoltaic applications
    Milanova, M. ; Ivan Gueorguiev Ivanov ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, 2019
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
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    academicJournal
  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    LPE growth and optical characteristics of GaAs 1− x Sb x epilayer
    Wang, Yang ; Wang, Chao ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 463 (2017-04-01), S. 123-127
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Extremely-low-temperature LPE growth of AlxGa1-x-yInySb
    KATO, K ; UEKITA, H ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 13 (1992), Heft 2-3, S. 93-95
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Effect of doping and heat treatment on the lattice constant in homoepitaxial GaAs layers prepared by LPE
    GOVORKOV, A. V ; EFIMOV, A. G ; et al.
    In: Soviet physics. Crystallography, Jg. 36 (1991), Heft 6, S. 875-877
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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