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783 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Influence of arsenic concentration on the surface morphology and photoluminescence of LPE grown with high aluminium content
    Dutta, Partha S. ; Kumar, Vikram ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 160 (1996-03-01), S. 177-180
    Online unknown
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  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Photoluminescence of GaAs layers hybrid-grown on Si by MBE and LPE
    Unno, T. ; Yazawa, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 115 (1991-12-01), S. 519-523
    Online unknown
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  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    2 K photoluminescence of indirect GAP AlxGa1−xAs alloys grown under near-equilibrium conditions by LPE
    Purón-Sopeña, E ; Martínez-Criado, Gema ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 10 (1998-05-01), S. 137-142
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Investigation of erbium doping of InP and (Ga,In)(As,P) layers grown by LPE
    Haigh, J. ; Chatterjee, A.K.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 106 (1990-12-01), S. 537-542
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    LPE growth and characterization of InP/InGaAsP ridge-waveguide lasers at 1.3 μm-wavelength
    Bayer, W. ; Oelgart, G. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 25 (1990-06-01), S. 637-652
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Ga0.5P
    Lee, H. J. ; Chung, Chan-Hwa ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 82 (1992-04-01), S. 7-12
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Synthesis and properties of Ge-(Ge2)1−x (GaAs)x (0≤x≤1.0) epitaxial heterostructures grown by LPE from lead-based solution melts
    Sapaev, B.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 30 (2004-08-01), S. 657-659
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    LPE grown GaAs1−xNx (x ≤ 0.01) for photoconductive devices
    Das, Soumyadip ; Dhar, S. ; et al.
    In: 2012 5th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC), 2012-12-01
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Gettering properties of PrO2 in In0.53Ga0.47As LPE growth
    Kuliffayová, M. ; Hasenöhrl, Stanislav ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991-04-01), S. 862-866
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Isoperiodical heterostructures GaInAsSb/GaSb grown by LPE from Sb-rich melts in spinodal decomposition area
    Nikitina, Irina P. ; Tret’yakov, D. N. ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, Jg. 66 (1999-12-01), S. 67-69
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    LPE growth of Ge-doped InGaAsP/InP by two-phase solution technique
    CHANDVANKAR, S. S ; RAJALAKSHMI, R ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 88 (1988), Heft 2, S. 303-305
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Photoluminescence studies of LPE AlxGa1-xSb
    KITAMURA, N ; YAMAMOTO, H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 2 (1987), Heft 5, S. 318-320
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Meltback of GaAs0.6P0.4 substrate in LPE growth of InGaAsP
    FUJII, S ; FURUTA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. 79-81
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Influence of phosphorus evaporation from melt on InGaP/GaAs LPE growth
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 23 (1984), Heft 9, S. L723- (3S.)
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    Auto-doping phenomena for the InGaAsP active layer in DH structure grown by LPE
    SASAI, Y ; YOSHIOKA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 23 (1984), Heft 9, S. L700- (3S.)
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Effect of various factors upon the stoichiometry of GaAs homoepitaxial layers grown by LPE
    Shlenskii, A. A. ; Novikov, A. G. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (a), Jg. 144 (1994-07-16), S. 121-130
    Online unknown
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    High Purity p-type InP Grown by LPE with Rare-Earth Admixtures
    Zavadil, J. ; Zdansky, Karel ; et al.
    In: 2006 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 2006-10-01
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Photoluminescence of LPE-grown InAs1−x−ySbxPy for 2.55 μm lasers
    Krier, A. ; Rowe, D.R.
    In: Materials Letters, Jg. 13 (1992-04-01), S. 225-231
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    LPE growth of undoped n-type GaAs at 636°C with extremely low compensation
    Tomita, Akiyoshi ; Migitaka, Masatoshi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 116 (1992-02-01), S. 351-356
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Gettering Properties of Praseodymium in InGaP LPE Growth
    Lai, M. Z. ; Chang, L. B.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 27 (1992), S. 623-627
    Online unknown
    Zugriff:
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