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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Device Circuit Co-Design Issues in Vertical Nanowire CMOS Platform
    MAHESHWARAM, Satish ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 934-936
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Broadband Root-Mean-Square Detector in CMOS for On-Chip Measurements of Millimeter-Wave Voltages
    LEE, Chuan ; CHOI, Wooyeol ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 752-754
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Chip-Level Thermoelectric Power Generators Based on High-Density Silicon Nanowire Array Prepared With Top-Down CMOS Technology
    LI, Y ; BUDDHARAJU, K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 5, S. 674-676
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process
    YI, SONG ; HUAJIE, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 12, S. 1377-1379
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    STI-bounded single-photon avalanche diode in a deep-submicrometer CMOS technology
    FINKELSTEIN, Hod ; HSU, Mark J ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 11, S. 887-889
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si
    Svensson, Johannes ; Jönsson, Adam ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2018
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    A CMOS STI-Bound Single-Photon Avalanche Diode With 27-ps Timing Resolution and a Reduced Diffusion Tail
    HSU, Mark J ; ESENER, Sadik C ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 6, S. 641-643
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Performance and Spatial Sensitivity Variations of Single-Photon Avalanche Diodes Manufactured in an Image Sensor CMOS Process
    Borg, Johan
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-11-01), S. 1118-1120
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Comparison of MOCVD- and ALD-Deposited HfZrO4 Gate Dielectrics for 32-nm High-Performance Logic SOI CMOS Technologies
    KELWING, Torben ; NAUMANN, Andreas ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1149-1151
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    A Radiation Imaging Detector Made by Postprocessing a Standard CMOS Chip
    BLANCO CARBALLO, Victor Manuel ; CHEFDEVILLE, Maximilien ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 6, S. 585-587
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Direct-Conversion CMOS X-Ray Imager With <tex-math notation='LaTeX'>$5.6 ~\mu \text{m} \times 6.25~\mu \text{m}$ </tex-math> Pixels
    Parsafar, Alireza ; Scott, Christopher C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-05-01), S. 481-483
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    High-Speed Pseudo-CMOS Circuits Using Bulk Accumulation a-IGZO TFTs
    Nam, Hyoungsik ; Mativenga, Mallory ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-02-01), S. 153-155
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    BJT Process Spread Compensation Utilizing Base Recombination Current in Standard CMOS
    Bermak, Amine ; Law, Man-Kay ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-11-01), S. 1111-1113
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Compact On-Chip Bandpass Filter With Improved In-Band Flatness and Stopband Attenuation in 0.13- $\mu \text{m}$ (Bi)-CMOS Technology
    Liu, Hang ; Zhang Ju Hou ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-10-01), S. 1359-1362
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Thermoelectric infrared sensors by CMOS technology
    LENGGENHAGER, R ; BALTES, H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 13 (1992), Heft 9, S. 454-456
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Tin oxide gas sensor fabricated using CMOS micro-hotplates and in-situ processing
    SUEHLE, J. S ; CAVICCHI, R. E ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 14 (1993), Heft 3, S. 118-120
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Thermoelectric AC power sensor by CMOS technology
    JAEGGI, D ; BALTES, H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 13 (1992), Heft 7, S. 366-368
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    A High-Performance Single-Photon Avalanche Diode in 130-nm CMOS Imaging Technology
    Grant, Lindsay A. ; Webster, Eric A. G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-11-01), S. 1589-1591
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    A Dual-Junction Single-Photon Avalanche Diode in 130-nm CMOS Technology
    Webster, Eric A. G. ; Grant, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-03-01), S. 429-431
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Symmetric Varactor in 130-nm CMOS for Frequency Multiplier Applications
    Shim, Dongha ; Kenneth, K. O.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-04-01), S. 470-472
    Online unknown
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