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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    High-Order Microwave Photonic Intensity Differentiator Based on CMOS-Compatible Micro-Combs
    Xu, Xingyuan ; Wu, Jiayang ; et al.
    In: 2018 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2018-05-01, S. 1-2
    Konferenz
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  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Channel strain engineering for high performance CMOS technology
    Nayfeh, Hasan M.
    In: 2008 16th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, 2008-09-01
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    New state variable device opportunities for beyond CMOS: A system perspective
    Zhirnov, Victor V. ; Cavin, Ralph K. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology and Tutorial, 2008-06-01, S. 261
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    The Effects of Scaling and Well and Substrate Contact Placement on Single Event Latchup in Bulk CMOS Technology
    Hutson, John M. ; Schrimpf, R. D. ; et al.
    In: 2005 8th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, 2005-09-01
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Monolithic Integration of III/V-Based Functionalities to CMOS-Based Si-Micro- and Nanoelectronics
    Stolz, Wolfgang
    In: 2018 IEEE Photonics Conference (IPC), 2018-09-01, S. 1-1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Analogue design issues for SOI CMOS
    Redman-White, W. ; Tenbroek, B.M. ; et al.
    In: 1996 IEEE International SOI Conference Proceedings, 1996, S. 6-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    CMOS Devices - Metal Gate & High-K Gate Dielectric
    Yoon, Jong Shik ; Thean, Aaron
    In: 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, 2007-12-01, S. 47
    Konferenz
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  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    CMOS Devices - Physics and Technologies of Mobility Enhancement
    Takagi, Shinichi ; Clerc, Raphael
    In: 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, 2007-12-01, S. 701
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Advanced modelling and parameter extraction of the MOSFET ESD breakdown triggering in the 90nm CMOS node technologies
    Vassilev, V. ; Lorenzini, M. ; et al.
    In: 2004 Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, 2004-09-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Device physics studies of large signal transient performance and large signal power amplification performance of 0.1 micron channel length thin film SOI/CMOS IC and 0.1 micron basewidth HBT MMIC's
    Huang, C. ; Yang, Y.H. ; et al.
    In: Proceedings of 4th International Conference on Solid-State and IC Technology, 1995, S. 607-609
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    Novel CMOS compatible cavity enhanced Ge/SOI photo-detector based on secondary photoconductivity
    Sahni, Subal ; Yablonovitch, Eli ; et al.
    In: 2006 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science, 2006-05-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    The AMchip: a full-custom CMOS VLSI associative memory for pattern recognition
    Amendolia, S.R. ; Galeotti, S. ; et al.
    In: Conference Record of the 1991 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging, 1991, S. 716-718
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    New RP-CVD grown ultra-high performance selectively B-doped pure-Ge 20 nm QWs on (100)Si as basis material for post-Si CMOS technology : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Mironov, O. A. ; Hassan, A. H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 61-64
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Challenges in CMOS-based images : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Roy, F. ; Tournier, A. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 50-56
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Low temperature plasma oxidation for advanced 3D CMOS-based devices : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Niess, J. ; Kegel, W. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 37-40
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Impact of scaling on CMOS IC failure rate and design rules for reliability
    Haggag, A. ; Hess, K. ; et al.
    In: 7th International Workshop on Computational Electronics. Book of Abstracts. IWCE (Cat. No.00EX427), 2000, S. 49-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Threshold voltage design incompatibility between partially-depleted SOI and bulk CMOS transistors
    Van Meer, H. ; Lyu, Jeong-Ho ; et al.
    In: 1999 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.99CH36345), 1999, S. 32-33
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    First-principles study of Si CMOS materials and nanostructures
    Chang, Kee Joo ; Noh, Hyeon-Kyun ; et al.
    In: 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2011-09-01, S. 9-9
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    CMOS transistor electrical ageing experiments to build VHDL-AMS behavioral models
    Mongellaz, B. ; Marc, F. ; et al.
    In: 2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings, 2004, S. 649-650
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Simulation of 0.35 /spl mu/m/0.25 /spl mu/m CMOS technology doping profiles
    Lorenzini, M. ; Haspeslagh, L. ; et al.
    In: 7th International Workshop on Computational Electronics. Book of Abstracts. IWCE (Cat. No.00EX427), 2000, S. 167-168
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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