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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    On the integration of CMOS with hybrid crystal orientations
    YANG, M ; CHAN, V ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 160-161
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Low cost 65nm CMOS platform for low power & general purpose applications
    ARNAUD, F ; DURIEZ, B ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 10-11
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Thermally robust dual-work function ALD-MNx MOSFETs using conventional CMOS process flow
    PARK, D.-G ; LUO, Z. J ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 186-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Integration of interconnect process highly manufacturable for 65nm CMOS platform technology (CMOS5)
    HONDA, K ; KANDA, M ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 62-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Extended scaling of ultrathin gate oxynitride toward sub-65nm CMOS by optimization of UV photo-oxidation, soft plasma/thermal nitridation & stress enhancement
    CHEN, Chi-Chun ; CHANG, V. S ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 176-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    A simplified hybrid orientation technology (SHOT) for high performance CMOS
    DORIS, B ; ZHANG, Y ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 86-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    65nm CMOS high speed, general purpose and low power transistor technology for high volume foundry application
    FUNG, Samuel K. H ; HUANG, H. T ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 92-93
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    45nm CMOS platform technology (CMOS6) with high density embedded memories
    IWAI, M ; OISHI, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 12-13
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Understanding stress enhanced performance in intel 90nm CMOS technology
    GILES, M. D ; ARMSTRONG, M ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 118-119
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Transistor optimization for leakage power management in a 65 nm CMOS technology for wireless and mobile applications
    ZHAO, S ; CHATTERJEE, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 14-15
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Rigorous mathematical calculation of p- and n-mobility as functions of mechanical stress, electric field, current direction and substrate indices for scaled CMOS designing
    OKADA, Takako ; YOSHIMURA, Hisao
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 116-117
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Laminated metal gate electrode with tunable work function for advanced CMOS
    BAE, S. H ; BAI, W. P ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 188-189
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Impact of boron penetration from S/D-extension on gate-oxide reliability for 65-nm node CMOS and beyond
    YAMASHITA, T ; OTA, K ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 136-137
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Dual work function metal gate CMOS using CVD metal electrodes
    NARAYANAN, V ; CALLEGARI, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 192-193
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Delaying forever : Uniaxial strained silicon transistors in a 90nm CMOS technology
    MISTRY, K ; ARMSTRONG, M ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 50-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    A hp22 nm node low operating power (LOP) technology with Sub-10 nm gate length planar bulk CMOS devices
    YASUTAKE, N ; OHUCHI, K ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 84-85
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    A 243-GHz Ft and 208-GHz Fmax, 90-nm SOI CMOS SoC technology with low- power millimeter-wave digital and RF circuit capability
    ZAMDMER, Noah ; KIM, Jonghae ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 98-99
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    55nm high mobility SiGe(:C) pMOSFETs with HfO2 gate dielectric and TiN metal gate for advanced CMOS
    WEBER, O ; DUCROQUET, F ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 42-43
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    A 2.8 Gb/s, 32-state, radix-4 viterbi decoder add-compare-select unit
    BRUELS, Niko ; SICHENEDER, Elisabeth ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    A 0.9V 66MHz access, 0.13um 8M(256Kx32) local SONOS embedded flash EEPROM
    SEO, M. K ; SIM, S. H ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 68-71
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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