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1.909 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    LPE process application to RE123 coated conductor
    NAKAMURA, Yuichi ; HOBARA, Natsuro ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity High Temperature Superconductors VI. Part IV, Houston, Texas, USA, February 20-25, 2000, Jg. 341-48 (2000), S. 2323-2326
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Critical currents and microstructures of LPE grown YBCO bicrystal films with large single facet grain boundaries
    KOSHIZUKA, N ; TAKAGI, T ; et al.
    In: Proceedings of Symposium B of the Fifth International Conference on Advanced Materials IUMRS-ICAM'99: High-Tc Superconductors, Beijing, China, 13-18 June 1999, Jg. 337 (2000), Heft 1-4, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    AZIZI, M ; MEISSNER, E ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 322 (2011), Heft 1, S. 74-77
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Study of annealing conditions on the formation of ohmic contacts on p + 4H-SiC layers grown by CVD and LPE
    VASSILEVSKI, K. V ; CONSTANTINIDIS, G ; et al.
    In: 2nd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-4, 1998, Montpellier, France, Jg. 61-62 (1999), S. 296-300
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Dielectric functions and the interband critical points of InAs0.05Sb0.95 film grown by a modified LPE technique
    HU, S. H ; YU, G. L ; et al.
    In: Physica. B, Condensed matter, Jg. 405 (2010), Heft 1, S. 227-230
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Structural and optical characteristics of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE technique
    PRUTSKIJ, T ; DIAZ-ARENCIBIA, P ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 269-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    LPE HgCdTe on sapphire status and advancements
    BOSTRUP, G ; HESS, K. L ; et al.
    In: Special Issue on the 2000 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 30 (2001), Heft 6, S. 560-565
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Growth of Bi and Ga substituted YIG and LuIG layers by LPE method
    KESZEI, B ; VERTESY, Z ; et al.
    In: Sixth Polish Conference on Crystal Growth (PCCG-VI), Jg. 36 (2001), Heft 8-10, S. 953-959
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Structural characterization of AlxGa1―xSb grown by LPE
    JUAREZ DIAZ, G ; DIAZ-REYES, J ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 15 (2012), Heft 5, S. 472-479
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    MILANOVA, M ; VITANOV, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 346 (2012), Heft 1, S. 79-82
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Crystallographic Axis Transition of Sm1+xBa2-xCu3O7-δ Film Prepared by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
    TANG, Chen Y ; CAI, Yan Q ; et al.
    In: Crystal growth & design, Jg. 9 (2009), Heft 3, S. 1339-1343
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Defect distribution and morphology development of SiGe layers grown on Si(100) substrates by LPE
    SEMBIAN, A. M ; KONUMA, M ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium D: Thin Films Epitaxial Growth and Nanostructures, Jg. 336 (1998), Heft 1-2, S. 116-119
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
    GUIMARAES, Sonia ; TAVARES DE LIMA, Joaquim ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1657-1663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    MoO3-Li2O flux LPE growth of YIG films and its characterization
    TAKAGI, T ; FUJINO, M ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the thirteen International Conference on Crystal Growth in conjuction with the eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July-4 August 2001. Part 1, Jg. 237-39 (2002), S. 725-729
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Growth kinetics of GaP in LPE
    INATOMI, Y ; HORIUCHI, K ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1428-1433
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Characterization of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb <1 1 1> by LPE method
    SAREMINIA, Gh ; HAJIAN, M ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 53 (2010), Heft 5, S. 315-319
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Epitaxial growth of BiFeO3 thin films by LPE and sol-gel methods
    XIAODING, QI ; JOONGHOE, DHO ; et al.
    In: Journal of magnetism and magnetic materials, Jg. 283 (2004), Heft 2-3, S. 415-421
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    High quality of InAsSb epilayer with cutoff wavelength longer than 10 μm grown on GaAs by the modified LPE technique
    HU, S. H ; SUN, C. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 8, S. 2309-2312
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    LPE growth of PZNT film using superheating YBCO thin film as seed layer
    QIN, F ; CAI, Y. Q ; et al.
    In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 84 (2006), Heft 3, S. 335-339
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    A new surface-flattening method using single-point diamond turning (SPDT) and its effects on LPE HgCdTe photodiodes
    LEE, M Y ; EIM, Y. H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 1, S. 40-43
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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