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798 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Patent Issued for CMOS compatible BioFET (USPTO 11486854).
    In: Technology Business Journal, 2022-11-22, S. 1677
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    New Findings in Nanophotonics Described from National Central University (Cmos-compatible Silicon Etched U-grooves With Groove-first Fabrication for Nanophotonic Applications).
    In: Nanotechnology Business Journal, 2022-11-21, S. 819
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Reports Outline Nanoelectronics Study Results from National Tsing-Hua University (Integrated Low-dimensional Semiconductors for Scalable Low-power Cmos Logic).
    In: Journal of Technology & Science, 2023-06-04, S. 924
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    28-nm 2T High-K Metal Gate Embedded RRAM With Fully Compatible CMOS Logic Processes
    CHIN YU, MEI ; WEN CHAO, SHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1253-1255
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Cost-Optimized and Robust Latch Hardened against Quadruple Node Upsets for Nanoscale CMOS
    Yan, Aibin ; Song, Shukai ; et al.
    In: ITC-Asia 2022 - IEEE International Test Conference in Asian ; https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03770182 ; ITC-Asia 2022 - IEEE International Test Conference in Asian, Aug 2022, Taipei, Taiwan. pp.73-78, ⟨10.1109/ITCAsia55616.2022.00023⟩, 2022
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Patent Issued for Metal gate structure of a CMOS semiconductor device and method of forming the same (USPTO 11393726).
    In: Technology Business Journal, 2022-08-09, S. 2888
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Patent Issued for Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer (USPTO 11342266).
    In: Technology Business Journal, 2022-06-14, S. 2816
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Patent Issued for Strained nanowire CMOS device and method of forming (USPTO 11309385).
    In: Technology Business Journal, 2022-05-10, S. 3856
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Patent Issued for Method for manufacturing a MEMS device by first hybrid bonding a CMOS wafer to a MEMS wafer (USPTO 11279615).
    In: Technology Business Journal, 2022-04-12, S. 3273
    Zeitungsartikel
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    National Chi Nan University Researchers Publish New Studies and Findings in the Area of Applied Sciences [A 12.4-32 GHz CMOS Down-Conversion Mixer for 28 GHz 5G New Radio (NR)]
    In: Science Letter, 2023-03-17, S. 433
    Zeitungsartikel
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Patent Issued for CMOS-MEMS integration with through-chip via process (USPTO 11235969).
    In: Technology Business Journal, 2022-02-22, S. 1921
    Zeitungsartikel
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Granted United States Patent for Method for Integrating Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Devices with Microelectromechanical Systems (MEMS) Devices Using a Flat Surface Above a Sacrificial Layer.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2022-05-25
    Zeitungsartikel
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    United States Patent for Strained Nanowire CMOS Device and Method of Forming Issued to Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd.
    In: Global IP News: Nanotech Patent News, 2022-04-20
    Zeitungsartikel
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Gets Patent for Method and Apparatus for CMOS Sensor Packaging.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2022-04-06
    Zeitungsartikel
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    U.S. Patent and Trademark Office Receives Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd's Patent Application for CMOS Image Sensor Having Indented Photodiode Structure.
    In: Global IP News: Optics & Imaging Patent News, 2022-03-11
    Zeitungsartikel
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    U.S. Patent and Trademark Office Awards Patent for CMOS-MEMS Integration with Through-Chip Via Process.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2022-02-02
    Zeitungsartikel
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Patent Issued for CMOS image sensor having indented photodiode structure (USPTO 11183523).
    In: Technology Business Journal, 2021-12-14, S. 1839
    Zeitungsartikel
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Patent Issued for CMOS image sensor structure with microstructures formed on semiconductor layer (USPTO 11177302).
    In: Technology Business Journal, 2021-12-07, S. 2153
    Zeitungsartikel
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Patent Issued for CMOS sensors and methods of forming the same (USPTO 11177308).
    In: Technology Business Journal, 2021-12-07, S. 2156
    Zeitungsartikel
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Patent Issued for Method of making FinFET CMOS device including single diffusion break in each of NMOS and PMOS regions (USPTO 11171137).
    In: Investment Weekly News, 2021-12-04, S. 2757
    Zeitungsartikel
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