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    Application of improved ACM model to the design by hand of CMOS analog circuits.
    Ademir de Jesus Costa ; Mehdipour, Eliyas ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 119 (2022), S. 105309-105309
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A delay cell with duty-cycle correction and parasitic compensation for large array indirect time-of-flight CMOS image sensors.
    Wang, Zeqing ; Li, Qiang ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 125 (2022), S. 105448-105448
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    A CMOS balun with common ground and artificial dielectric compensations applied in a wideband RF front-end.
    Yang, Geliang ; Kai Tang 0002 ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 125 (2022), S. 105465-105465
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    A 12bit 250 MS/s 5.43fJ/conversion-step SAR ADC with adaptive asynchronous logic in 28 nm CMOS.
    Sun, Ting ; Qi Yu 0002 ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 128 (2022), S. 105572-105572
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    CMOS image sensor fixed pattern noise calibration scheme based on digital filtering method.
    Huang, Sichong ; Lu, Tiejun ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 124 (2022), S. 105431-105431
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    A configurable nonbinary 7/8-bit 800-400 MS/s SAR ADC in 65 nm CMOS.
    Mao, Henghui ; Li, Dengquan ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 122 (2022), S. 105395-105395
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    A 14-bit 40-MS/s Split-DAC based SAR ADC in 65 nm CMOS.
    Liang, Wenjie ; Duan, Quanzhen
    In: Microelectron. J., Jg. 123 (2022), S. 105424-105424
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    A self-compensated approach for ramp kickback noise in CMOS image sensor column parallel single slope ADC.
    Guo, Zhongjie ; Yu, Ningmei ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 120 (2022), S. 105364-105364
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    A configurable detection chip with ±0.6% Inaccuracy for liquid conductivity using dual-frequency sinusoidal signal technique in 65 nm CMOS.
    Lin, Ye ; Zhang, Yuejun ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 124 (2022), S. 105434-105434
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    A 33.33 Gb/s/wire pin-efficient 1.06 pJ/bit wireline transceiver based on CNRZ-5 for Chiplet in 28 nm CMOS.
    Lai, Mingche ; Geng Zhang 0001 ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 130 (2022), S. 105628-105628
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    A 2.44μs row conversion time 12-bit high-speed differential single-slope ADC with TDC applied to CMOS image sensor.
    Jing Gao 0002 ; Yan, Ningxi ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 120 (2022), S. 105322-105322
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    A 325-μW step-16 digital-sensor based on dual-delay-chain in 180-nm CMOS.
    Gan, Jie ; Zhao, Xu ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 128 (2022), S. 105570-105570
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    A low-power conditional analog correlated multiple sampling circuit for low-noise CMOS image sensor.
    Xu, Jiangtao ; Wei, Jiahao ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 123 (2022), S. 105428-105428
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    A linear charge pump with novel adaptive charge compensation structure for transient-response improvement in CMOS image sensors.
    Jing Gao 0002 ; Li, Rui ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 122 (2022), S. 105391-105391
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    A reconfigurable millimeter-wave wideband low-noise amplifier in 55-nm CMOS.
    Zhang, Wei ; Deng, Dongqin ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 127 (2022), S. 105525-105525
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    K-band low phase noise Class-C VCOs using DGS inductor in CMOS technology.
    Mansour, Islam ; Mansour, Marwa ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 122 (2022), S. 105393-105393
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Design of hybrid flash-SAR ADC using an inverter based comparator in 28 nm CMOS.
    B. Dinesh Kumar 0001 ; Pandey, Sumit K. ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 95 (2020)
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    A 7b 400 ​MS/s pipelined SAR ADC in 65 ​nm CMOS.
    Ding, Ruixue ; Dang, Li ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 95 (2020)
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Design and analysis of 2T2M hybrid CMOS-Memristor based RRAM.
    Shaarawy, Noha ; Emara, Ahmed A. M. ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 73 (2018), S. 75-85
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    High performance CMOS level up shifter with full-scale 1.2 V output voltage.
    José C. García 0001 ; Montiel-Nelson, Juan A. ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 78 (2018), S. 11-15
    academicJournal
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