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    CMOS-compatible metal-stabilized nanostructured Si as anodes for lithium-ion microbatteries
    Lee, Gibaek ; Schweizer, Stefan L ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 9 (2014-12-01), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Ge quantum dot arrays grown by ultrahigh vacuum molecular-beam epitaxy on the Si(001) surface: nucleation, morphology, and CMOS compatibility
    Yuryev, Vladimir A ; Arapkina, Larisa V
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 6 (2011-12-01), Heft 1, S. 1-15
    Online academicJournal
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    The Characteristics of Seebeck Coefficient in Silicon Nanowires Manufactured by CMOS Compatible Process
    Sung-Jin, Choi ; Moongyu, Jang ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 5 (2010), Heft 10, S. 1654-1657
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    The Characteristics of Seebeck Coefficient in Silicon Nanowires Manufactured by CMOS Compatible Process
    Jang, Moongyu ; Park, Youngsam ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 5 (2010-10-01), Heft 10, S. 1654-1657
    Online academicJournal
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    Fabrication of HfO<subscript>2</subscript> patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application
    Benedicto, Marcos ; Galiana, Beatriz ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 6 (2011-12-01), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    CMOS-compatible dense arrays of Ge quantum dots on the Si(001) surface: hut cluster nucleation, atomic structure and array life cycle during UHV MBE growth
    Arapkina, Larisa V ; Yuryev, Vladimir A
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 6 (2011-12-01), Heft 1, S. 1-13
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Time-Shared Twin Memristor Crossbar Reducing the Number of Arrays by Half for Pattern Recognition.
    Ngoc Truong, Son ; Van Pham, Khoa ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 12 (2017-03-21), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    CMOS-Compatible Top-Down Fabrication of Periodic SiO2 Nanostructures using a Single Mask
    Menghor, Lingkuan ; Gaohor, Jianfeng ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 10 (2016)
    Online Elektronische Ressource
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Fabrication of HfO2 patterns by laser interference nanolithography and selective dry etching for III-V CMOS application
    Jon, Molina-Aldareguia ; Scott, Monaghan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 6 (2011), Heft 1, S. 400-400
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    A Study on the Effect of the Structural Parameters and Internal Mechanism of a Bilateral Gate-Controlled S/D Symmetric and Interchangeable Bidirectional Tunnel Field Effect Transistor
    Jin, Xiaoshi ; Wang, Yicheng ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 16 (2021-06-01), Heft 1, S. 1-9
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    A 100-Mhz Bandwidth 80-dB Dynamic Range Continuous-Time Delta-Sigma Modulator with a 2.4-Ghz Clock Rate
    Xiao, Yao ; Lu, Zhifei ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 15 (2020-03-01), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Ge N-Channel MOSFETs with ZrO2 Dielectric Achieving Improved Mobility
    Chou, Lulu ; Liu, Yan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 16 (2021-08-01), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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    A 100-Mhz Bandwidth 80-dB Dynamic Range Continuous-Time Delta-Sigma Modulator with a 2.4-Ghz Clock Rate.
    Xiao, Yao ; Lu, Zhifei ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 15 (2020-03-06), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Ge N-Channel MOSFETs with ZrO<subscript>2</subscript> Dielectric Achieving Improved Mobility
    Chou, Lulu ; Liu, Yan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 16 (2021-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by Ta2O5/TaOx Bi-Layer Structure
    Yu, Jie ; Xu, Xiaoxin ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 14 (2019-03-01), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    A high-performance complementary inverter based on transition metal dichalcogenide field-effect transistors
    Cho, Ah-Jin ; Park, Kee Chan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 10 (2015-12-01), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by Ta<subscript>2</subscript>O<subscript>5</subscript>/TaO<subscript>x</subscript> Bi-Layer Structure
    Yu, Jie ; Xu, Xiaoxin ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 14 (2019-03-28), Heft 1
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Simultaneous Quantitative Detection of Helicobacter Pylori Based on a Rapid and Sensitive Testing Platform using Quantum Dots-Labeled Immunochromatiographic Test Strips
    Zheng, Yu ; Wang, Kan ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 11 (2016-12-01), Heft 1, S. 1-11
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    A high-performance complementary inverter based on transition metal dichalcogenide field-effect transistors
    Chohor, Ah-Jin ; Kee Chan Parkhor ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 10 (2016)
    Online Elektronische Ressource
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Quality Improvement of GaN Epi-layers Grown with a Strain-Releasing Scheme on Suspended Ultrathin Si Nanofilm Substrate.
    Wang, Kejia ; Song, Yuzi ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 17 (2022-10-15), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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