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265 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    CVD and ALD of Cobalt-tungsten alloy film as a novel Copper diffusion barrier
    Shimizu, Hideharu ; Sakoda, Kaoru ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Intercalated multi-layer graphene grown by CVD for LSI interconnects
    Kondo, Daiyu ; Nakano, Haruhisa ; et al.
    In: 2013 IEEE International Interconnect Technology Conference - IITC, 2013-06-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    A comparative study of CVD TiN and CVD TaN diffusion barriers for copper interconnection
    Sun, S.C. ; Tsai, M.H. ; et al.
    In: Proceedings of International Electron Devices Meeting, 1995, S. 461-464
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Effects of CVD-W process on electrical properties in sub 2× nm flash devices
    Han, Hauk ; Lee, Changwon ; et al.
    In: 2012 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2012-06-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Comparative study on ALD/CVD-Co(W) films as a single barrier/liner layer for 22−1x nm generation interconnects
    Shimizu, Hideharu ; Wojcik, Henry ; et al.
    In: 2012 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2012-06-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Using IS modeling to understand the effect of growth conditions and film attributes on AC conduction in CVD diamond
    Bataineh, M.M. ; Khatami, S. ; et al.
    In: Proceedings IEEE SoutheastCon 2002 (Cat. No.02CH37283), 2002, S. 33-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Cu dry-fill on CVD Ru liner for advanced gap-fill and lower resistance
    Ishizaka, T. ; Gomi, A. ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Highly conductive hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films deposited by hot wire CVD at a low substrate temperature on glass substrates
    Miyajima, S. ; Yamada, A. ; et al.
    In: Conference Record of the Thirty-first IEEE Photovoltaic Specialists Conference,, 2005, S. 1504-1507
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Networked-nanographite wire grown on SiO2 dielectric without catalysts using metal-photoemission-assisted Plasma-enhanced CVD
    Sato, Motonobu ; Ogawa, Shuichi ; et al.
    In: 2010 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2010-06-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Fabrication and testing of CVD diamond single-material MEMS resonators with piezoresistive detection
    Cao, Zongliang ; Aslam, Dean M.
    In: 2011 16th International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference, 2011-06-01, S. 2359-2361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Reliability improvement in high aspect ratio contacts and vias filled with blanket tungsten CVD film
    Fukuda, N. ; Saito, T. ; et al.
    In: Proceedings of 1995 IEEE International Reliability Physics Symposium, 1995, S. 30-35
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Preparation of high-quality /spl mu/c-Si:H films by a hydrogen-radical CVD method [solar cells]
    Lo, L. F. ; Hatta, M. ; et al.
    In: Conference Record of the Twenty Sixth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1997, 1997, S. 651-654
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Reliability improvement in blanket tungsten CVD contact filling process for high aspect ratio contact
    Saito, T. ; Aoki, H. ; et al.
    In: 31st Annual Proceedings Reliability Physics 1993, 1993, S. 334-339
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    A photoconductivity and Raman scattering analysis of boron-doped a-SiC:H films deposited using the electron cyclotron resonance plasma CVD method
    Yoon, S.F. ; Ji, R. ; et al.
    In: ICSE '96. 1996 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics. Proceedings, 1996, S. 202-208
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    The optical and electrical characteristics of a-Si:H films prepared by ECR CVD
    Kang, Moonsang ; Kim, Jaeyeong ; et al.
    In: 1996 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. Proceedings, 1996, S. 483-486
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Process integration of CVD Cu as a seed layer for Cu electroplating and a plug-fill application
    Park, Ki-Chul ; Choi, Seung-Man ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.00EX407), 2000, S. 43-45
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    CVD copper thin film deposition by using (1-pentene)Cu(I)(hfac)
    Zhuang, W.W. ; Charneski, L.J. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.00EX407), 2000, S. 185-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    Novel PEALD-Ru formation technique using H2 & H2/N2 plasma as a seed layer for direct CVD-Cu filling
    Jeong, Daekyun ; Inoue, Hiroaki ; et al.
    In: 2009 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2009-06-01, S. 95
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    A novel 0.25 /spl mu/m via plug process using low temperature CVD Al/TiN
    Dixit, G.A. ; Paranjpe, A. ; et al.
    In: Proceedings of International Electron Devices Meeting, 1995, S. 1001-1004
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    A 0.25 mu m via plug process using selective CVD aluminium for multilevel interconnection
    Amazawa, T. ; Arita, Y.
    In: International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest], 1991, S. 265-268
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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