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    Toward standardization of low impedance contact CDM
    Jack, Nathan ; Carn, Brett ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 116 (2021)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Over-stress and under-stress effects in CDM testing
    O'Sullivan, Greg ; Smedes, Theo ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 108 (2020-05-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Failure analysis on 14 nm FinFET devices with ESD CDM failure
    Shaalini, C. ; Tan, P.K. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 88-90 (2018-09-01), S. 321-333
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    CDM tests on interface test chips for the verification of ESD protection concepts : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Brodbeck, T. ; Esmark, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1470-1475
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of the transient behavior of gated/STI diodes and their associated BJT in the CDM time domain : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Manouvrier, J. R. ; Fonteneau, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1424-1432
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigating the CDM susceptibility of IC's at package and wafer level by capacitive coupled TLP : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Wolf, H. ; Gieser, H. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1476-1481
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Identification of the physical signatures of CDM induced latent defects into a DC-DC converter using low frequency noise measurements : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Gao, Y. ; Guitard, N. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1456-1461
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of CDM specific effects for a smart power input protection structure : EOS/ESD symposium
    Etherton, M. ; Qu, N. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 46 (2006), Heft 5/6, S. 666-676
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 3-D Circuit Model to evaluate CDM performance of ICs : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Sowariraj, M. S. ; Smedes, T. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 45 (2005), Heft 9/11, S. 1425-1429
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Role of package parasitics and substrate resistance on the Charged Device Model (CDM) failure levels-An explanation and die protection strategy : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Sowariraj, M. S. B. ; Smedes, T. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 9-11, S. 1569-1576
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Process influence on product CDM ESD performance : Electrical overstress / electrostatic discharge; EOS/ESD
    Lisenker, B.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 7, S. 1029-1038
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The influence of technology variation on ggNMOSTs and SCRs against CDM ESD stress : Reliability of electron devices, failure physics and analysis; ESREF 2002
    Sowariraj, M. S. B. ; Smedes, T. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft NO 9-11, S. 1287-1292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The importance of standardizing CDM ESD test head parameters to obtain data correlation : Electrical overstress / electrostatic discharge
    Henry, L. G. ; Kelly, M. A. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 41 (2001), Heft 11, S. 1789-1800
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design optimization of SiGe BiCMOS Silicon Controlled Rectifier for Charged Device Model (CDM) protection applications
    Cui, Q. ; Parthasarathy, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 54 (2014), Heft 1, S. 57-63
    serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    vfTLP-V'T'H: A new method for quantifying the effectiveness of ESD protection for the CDM classification test : Advances in Electrostatic Discharge (ESD) protection for ICs
    Zhou, Y. ; Ellis, D. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 53 (2013), Heft 2, S. 196-204
    serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Secondary ESD clamp circuit for CDM protection of over 6Gbit/s SerDes application in 40nm CMOS : Advances in Electrostatic Discharge (ESD) protection for ICs
    Okushima, M. ; Tsuruta, J.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 53 (2013), Heft 2, S. 215-220
    serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Pitfalls for CDM calibration procedures : Advances in Electrostatic Discharge (ESD) protection for ICs
    Smedes, T. ; Polewski, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 53 (2013), Heft 2, S. 190-195
    serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation on CDM ESD events at core circuits in a 65-nm CMOS process
    Lin, C. Y. ; Chang, T. L. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 52 (2012), Heft 11, S. 2627-2631
    serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Inventory of silicon signatures induced by CDM event on deep sub-micronic CMOS-BICMOS technologies
    Galy, P. ; Dudit, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 50 (2010), Heft 9-11, S. 1388-1392
    serialPeriodical
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