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    Exploring poly-crystallization in semiconductors through assumption-less growth simulations: CdTe/CdS case study.
    Abdullah, Sharmin ; Zhou, Xiaowang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-02-21), Heft 7, S. 1-13
    Online academicJournal
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    Analyzing photoionization cross-sectional modulation in CdSe/CdS core–shell nanodots: Impact of strain and applied electric field.
    Ed-Dahmouny, A. ; Jaouane, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-01-28), Heft 4, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Radiation sensor based on thin-film CdTe/CdS device structure and its radiation resistance under high-intensity hydrogen plasma.
    Meriuts, A. V. ; Kharchenko, M. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-09-14), Heft 10, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Spectroscopic ellipsometry of monolayered CdS nanoparticles assembled by layer-by-layer method.
    Shim, YongGu ; Kitano, Atsushi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-08-21), Heft 7, S. 1-7
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Effect of CdS nanocrystals on charge transport mechanism in poly(3-hexylthiophene).
    Khan, Mohd Taukeer ; Almohammedi, Abdullah
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-08-21), Heft 7, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Optoelectronics of inverted type-I CdS/CdSe core/crown quantum ring.
    Bose, Sumanta ; Fan, Weijun ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-10-28), Heft 16, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Minimum entropy principle-based solar cell operation without a pn-junction and a thin CdS layer to extract the holes from the emitter.
    Böer, Karl W.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-28), Heft 16, S. 165701-1- (10S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Understanding misfit strain releasing mechanisms via molecular dynamics simulations of CdTe growth on {112}zinc-blende CdS.
    Zhou, X. W. ; Chavez, J. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-07-28), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Effects of oxygen partial pressure, deposition temperature, and annealing on the optical response of CdS:O thin films as studied by spectroscopic ellipsometry.
    Junda, Maxwell M. ; Grice, Corey R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-07-07), Heft 1, S. 305-313
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Radiation sensor based on thin-film CdTe/CdS device structure and its radiation resistance under high-intensity hydrogen plasma
    Meriuts, A. V. ; Kharchenko, M. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-09-14), S. 104501-104501
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Reduced defect density at the CZTSSe/CdS interface by atomic layer deposition of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>.
    Erkan, Mehmet Eray ; Chawla, Vardaan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-05-21), Heft 19, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Effect of lateral size and thickness on the electronic structure and optical properties of quasi two-dimensional CdSe and CdS nanoplatelets.
    Bose, Sumanta ; Song, Zhigang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-04-14), Heft 14, S. 143107-1- (11S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High-field domains in CdS adjacent to a junction of p-type solar cells.
    Böer, Karl W.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-02-28), Heft 8, S. 85703-1- (4S.)
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    First principles calculations of point defect diffusion in CdS buffer layers: Implications for Cu(In,Ga)(Se,S)<subscript>2</subscript> and Cu<subscript>2</subscript>ZnSn(Se,S)<subscript>4</subscript>-based thin-film photovoltaics.
    Varley, J. B. ; Lordi, V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-01-14), Heft 2, S. 25703-1- (9S.)
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improvement of red light response of Cu<subscript>2</subscript>Sn<subscript>1-x</subscript>Ge<subscript>x</subscript>S<subscript>3</subscript> solar cells by optimization of CdS buffer layers.
    Umehara, Mitsutaro ; Takeda, Yasuhiko ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-10-21), Heft 15, S. 154502-1- (6S.)
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    Two high-field thermodynamically stable conductivity states in photoconductive CdS, one n-type and one p-type.
    Böer, Karl W.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-08-28), Heft 8, S. 85704-1- (9S.)
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Reduced defect density at the CZTSSe/CdS interface by atomic layer deposition of Al2O3.
    Erkan, Mehmet Eray ; Chawla, Vardaan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-05-21), Heft 19, S. 1-8
    Online academicJournal
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    First principles calculations of point defect diffusion in CdS buffer layers: Implications for Cu(In,Ga)(Se,S)2 and Cu2ZnSn(Se,S)4-based thin-film photovoltaics.
    Varley, J. B. ; Lordi, V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-01-14), Heft 2, S. 25703-1- (9S.)
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