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    academicJournal
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    Floating Source/Drain Enabled Linear–Linear–Logarithmic Self-Adaptive One-Transistor Active Pixel Sensor.
    Liu, J. ; Wang, Xue-Jiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4976-4980
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Capacitance–Voltage Technique Based on Time Varying Magnetic Field for VDMOSFET—Part II: Measurements and Parameter Extractions.
    Tahi, Hakim ; Djezzar, Boualem ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2181-2188
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Capacitance–Voltage Technique Based on Time Varying Magnetic Field for VDMOSFET—Part I: Concept and Implementation.
    Tahi, Hakim ; Djezzar, Boualem ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2173-2180
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Switching Performance Analysis of 3.5 kV Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Power FinFETs.
    Jian, Zhe Ashley ; Mohanty, Subhajit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 672-678
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Switching Performance Analysis of 3.5 kV Ga2O3 Power FinFETs.
    Jian, Zhe Ashley ; Mohanty, Subhajit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 672-678
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Investigation and Modeling of Hot Carrier Effects on Performance of 45- and 55-nm NMOSFETs With RF Automatic Measurement.
    Tang, Mao-Chyuan ; Fang, Yean-Kuen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-06-01), Heft 6, S. 1541-1546
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Analysis of the Gate—Source/Drain Capacitance Behavior of a Narrow-Channel FD SOT NMOS Device Considering the 3-D Fringing Capacitances Using 3-D Simulation.
    Chen, Chien-Chung ; Kuo, James B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), Heft 10, S. 2559-2563
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The Study of Hot-Carrier Stress on Poly-Si TFT Employing C-V Measurement.
    Moon, Kook Chul ; Lee, Jae-Hoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 512-517
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Analysis of High- $\kappa $ Spacer Asymmetric Underlap DG-MOSFET for SOC Application.
    Koley, Kalyan ; Dutta, Arka ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-06-01), Heft 6, S. 1733-1738
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Comprehensive Graphene FET Model for Circuit Design.
    Rodriguez, Saul ; Vaziri, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-04-01), Heft 4, S. 1199-1206
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Cryogenic Performance of Low-Noise InP HEMTs: A Monte Carlo Study.
    Rodilla, Helena ; Schleeh, Joel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-05-01), Heft 5, S. 1625-1631
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Characterization and Modeling of Cryogenic Ultralow-Noise InP HEMTs.
    Schleeh, Joel ; Rodilla, Helena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 206-212
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High-Density Three-Dimensional Stacked nand Flash With Common Gate Structure and Shield Layer.
    Jeong, Min-Kyu ; Joe, Sung-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4212-4218
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Intrinsic Capacitance Characteristics of Top-Contact Organic Thin-Film Transistors.
    Kim, Kangmin ; Kim, Youngmin
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-09-01), Heft 9, S. 2344-2347
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Physics-Based Compact Model for A1GaN/GaN MODFETs With Close-Formed I-V and C-V Characteristics.
    Cheng, Xiaoxu ; Li, Miao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 12, S. 2881-2887
    Online academicJournal
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    Dynamic Response of Normal and Corbino a-Si:H TFTs for AM-OLEDs.
    Lee, Hojin ; Chiang, Chun-Sung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-09-01), Heft 9, S. 2338-2347
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Compact Modeling of Lateral Nonuniform Doping in High-Voltage MOSFETs.
    Chauhan, Yogesh Singh ; Krummenacher, François ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-06-01), Heft 6, S. 1527-1539
    Online academicJournal
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    At-Bias Extraction of Access Parasitic Resistances in AlGaN/GaN HEMTs: Impact on Device Linearity and Channel Electron Velocity.
    diSanto, David W. ; Bolognesi, C. R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 12, S. 2914-2919
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Gate Capacitances Behavior of Nanometer FD SOI CMOS Devices With HfO<subscript>2</subscript> High-κ Gate Dielectric Considering Vertical and Fringing Displacement Effects Using 2-D Simulation.
    Lin, Yu-Sheng ; Lin, Chia-Hong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-06-01), Heft 6, S. 1373-1378
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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