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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 4015-4018Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), Heft 3, S. 847-854Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3088-3094Online academicJournalZugriff:
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Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4679-4684Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 3515-3520Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2250-2256Online academicJournalZugriff:
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Nonsaturating Drain Current Characteristic in Short-Channel Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors.In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-04-01), Heft 4, S. 846-854Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), Heft 12, S. 5525-5529Online academicJournalZugriff:
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Nonsaturating Drain Current Characteristic in Short-Channel Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors.In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-04-01), Heft 4, S. 846-854Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-08-01), Heft 8, S. 1484-1487Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), S. 4015-4018Online unknownZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-05-01), Heft 5, S. 1093-1101Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-10-01), Heft 10, S. 2135-2143Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-12-01), Heft 12, S. 2489-2498Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-04-01), S. 846-854Online unknownZugriff:
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Analysis of DIBL Effect and Negative Resistance Performance for NCFET Based on a Compact SPICE ModelIn: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), S. 5525-5529Online unknownZugriff: