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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Accurate Modeling of Cryogenic Temperature Effects in 10-nm Bulk CMOS FinFETs Using the BSIM-CMG Model
    Singh, Sujit K. ; Gupta, Sumreti ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 5, S. 689-692
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Accurate Modeling of Cryogenic Temperature Effects in 10-nm Bulk CMOS FinFETs Using the BSIM-CMG Model
    Gupta, Sumreti ; Sujit Kumar Singh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-05-01), S. 689-692
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Deep-Learning-Assisted Physics-Driven MOSFET Current-Voltage Modeling.
    Kao, Ming-Yen ; Kam, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-06-01), Heft 6, S. 974-977
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modeling 20-nm Germanium FinFET With the Industry Standard FinFET Model
    KHANDELWAL, Sourabh ; DUARTE, Juan Pablo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 7, S. 711-713
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Evaluation of 10-nm Bulk FinFET RF Performance—Conventional Versus NC-FinFET.
    Singh, R. ; Aditya, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-08-01), Heft 8, S. 1246-1249
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Nano-Electro-Mechanical Switch Based Power Gating for Effective Stand-by Power Reduction in FinFET Technologies
    U. Sajesh Kumar ; V. Ramgopal Rao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 681-684
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Modeling SiGe FinFETs With Thin Fin and Current-Dependent Source/Drain Resistance.
    Khandelwal, Sourabh ; Duarte, Juan Pablo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-07-01), Heft 7, S. 636-638
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling of Advanced RF Bulk FinFETs.
    Kushwaha, P. ; Agarwal, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-06-01), Heft 6, S. 791-794
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Nano-Electro-Mechanical Switch Based Power Gating for Effective Stand-by Power Reduction in FinFET Technologies.
    Saha, Sumit ; Kumar, U. Sajesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), Heft 5, S. 681-684
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Unified Compact Model Covering Drift-Diffusion to Ballistic Carrier Transport.
    Khandelwal, Sourabh ; Agarwal, Harshit ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), Heft 2, S. 134-137
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization and Modeling of Flicker Noise in FinFETs at Advanced Technology Node.
    Kushwaha, Pragya ; Agarwal, Harshit ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-06-01), Heft 6, S. 985-988
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Behavioral Compact Model for Static Characteristics of 3D NAND Flash Memory.
    Sahay, Shubham ; Strukov, Dmitri
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-04-01), Heft 4, S. 558-561
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Performance Evaluation of 7-nm Node Negative Capacitance FinFET-Based SRAM.
    Dutta, Tapas ; Pahwa, Girish ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-08-01), Heft 8, S. 1161-1164
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Modeling SiGe FinFETs With Thin Fin and Current-Dependent Source/Drain Resistance
    Salahuddin, Sayeef ; Hu, Chenming ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-07-01), S. 636-638
    Online unknown
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characterization and Modeling of Flicker Noise in FinFETs at Advanced Technology Node
    Hu, Chenming ; Wang, Joseph ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-06-01), S. 985-988
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Behavioral Compact Model for Static Characteristics of 3D NAND Flash Memory
    Strukov, Dmitri B. ; Sahay, Shubham
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-04-01), S. 558-561
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Evaluation of 10-nm Bulk FinFET RF Performance—Conventional Versus NC-FinFET
    Parihar, S. S. ; Aditya, Kritika ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-08-01), S. 1246-1249
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Performance Evaluation of 7-nm Node Negative Capacitance FinFET-Based SRAM
    Amit Ranjan Trivedi ; Yogesh Singh Chauhan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-08-01), S. 1161-1164
    Online unknown
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