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In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 8, S. 4765-4768Online serialPeriodicalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2275-2281Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 45-50Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 2520-2526Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3279-3285Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 62-69Online serialPeriodicalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 271-278Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2618-2624Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 976-980Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 4846-4853Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4520-4526Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 239-245Online serialPeriodicalZugriff:
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Modeling the Parasitic Resistances and Capacitances of Advanced Vertical Gate-All-Around TransistorsIn: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 461-467Online serialPeriodicalZugriff: