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    SiO.sub.2 single layer for reduction of the standing wave effects in the interference lithography of deep photoresist structures on Si
    Carvalho, Edson J. ; Alves, Marco A.R. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 37 (2006-11-01), Heft 11, S. 1265-1270
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SiO 2 single layer for reduction of the standing wave effects in the interference lithography of deep photoresist structures on Si
    Carvalho, Edson J. ; Alves, Marco A.R. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 37 (2006), Heft 11, S. 1265-1270
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The protective effect of thin amorphous hydrogenated carbon a-C:H films during metallisation of metal–carbon–oxide–silicon (MCOS) diodes
    Balachova, O.V. ; Braga, E.S.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 34 (2003), Heft 9, S. 877-880
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Some optical properties of amorphous hydrogenated carbon thin films prepared by rf plasma deposition using methane
    Alves, Marco A.R. ; Rossetto, Jônatas F. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 32 (2001), Heft 9, S. 783-786
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Permittivity of amorphous hydrogenated carbon ( a-C:H) films as a function of thermal annealing
    Balachova, O.V ; Swart, J.W ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 32 (2001), Heft 8, S. 673-678
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    CF 4 plasma etching of materials used in microelectronics manufacturing
    Balachova, O.V ; Alves, M.A.R ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 31 (2000), Heft 3, S. 213-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    CF4 plasma etching of materials used in microelectronics manufacturing
    BALACHOVA, O. V ; ALVES, M. A. R ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 31 (2000), Heft 3, S. 213-215
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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