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    A new self-consistent model for the analysis of hot-carrier induced degradation in lightly doped drain (LDD) and gate overlapped LDD polysilicon TFTs
    VALLETTA, A ; MARIUCCI, L ; et al.
    In: Proceedings of Symposium K on Thin Film Materials for Large Area Electronics of the E-MRS 2002 Spring Conference, Strasbourg, France, June 18-21, Jg. 427 (2003), Heft 1-2, S. 117-122
    Konferenz
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    Channel distribution of generated interface states in 0.35 mum LDD nMOSFET : Dielectrics in microelectronics
    Buiu, O. ; Al-Kofahi, I. S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 40 (2000), Heft NO 4-5, S. 727-730
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    On the performance of O3BPSK LDD with diversity combining techniques over fading channels
    CHENG, Chia-Hsin ; LIN, Jen-Yung ; et al.
    In: Computer communications, Jg. 31 (2008), Heft 9, S. 1832-1841
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFET's
    YUE, HAO ; YANG, Lin-An ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 9-10, S. 1540-1545
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Flicker noise modelling of small geometry LDD MOSFETs
    KALRA, E ; KUMAR, A ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 32 (2001), Heft 2, S. 143-147
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A semi-empirical approach to analyze small geometry effects in LDD MOSFETs
    KALRA, Ekta ; KUMAR, Anil ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 56 (2001), Heft 3-4, S. 261-272
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot-carrier-induced abnormal gm degradation in sub-0.1-μm-channel nMOSFETs/SIMOX with LDD structure
    OMURA, Y
    In: Microelectronic engineering, Jg. 45 (1999), Heft 1, S. 57-69
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of LDD structures on the operation of silicon MOSFETs at low temperature
    HAFEZ, I. M ; GHIBAUDO, G ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 38 (1995), Heft 2, S. 419-424
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Characterization of the gate oxide thickness and the channel length dependencies of hot-carrier degradation in LDD p-MOSFETs
    PAN, Y ; NG, K. K
    In: Solid-state electronics, Jg. 38 (1995), Heft 1, S. 183-187
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An analytical model for hot-carrier-induced degradation of deep-submicron n-channel LDD MOSFETs
    JUNG-SUK, GOO ; YOUNG-GWAN, KIM ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 38 (1995), Heft 6, S. 1191-1196
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    A novel hot carrier reliability monitor for LDD p-MOSFETs
    PAN, Y ; NG, K. K ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 37 (1994), Heft 12, S. 1961-1965
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Comparison of gate-edge effects on the hot-carrier induced degradation of LDD n-and p-channel MOSFETs
    PAN, Y ; NG, K. K ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 37 (1994), Heft 1, S. 77-82
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Comparison of nanostructure LDD and EPI MOSFET
    Jang, K. G. ; Jhung, J. S. ; et al.
    In: PHYSICA B, Jg. 314 (2002), Heft 1-4, S. 391-395
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An explanation of 1/f noise in LDD MOSFETs from the ohmic region to saturation
    XIAOSONG, LI ; VANDAMME, L. K. J
    In: Solid-state electronics, Jg. 36 (1993), Heft 11, S. 1515-1521
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An evaluation of conventional and LDD devices for submicron geometries
    MOUNTAIN, D. J ; BURNELL, D. M
    In: Solid-state electronics, Jg. 33 (1990), Heft 5, S. 565-570
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Capacitance method for determination of LDD mosfet geometrical parameters
    VITANOV, P ; DIMITROVA, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 35 (1992), Heft 7, S. 985-991
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    1/f noise in series resistance of LDD MOSTs
    LI, X ; VANDAMME, L. K. J
    In: Solid-state electronics, Jg. 35 (1992), Heft 10, S. 1471-1475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Hot-carrier degradation in LDD-MOSFETs at high temperatures
    DIKMEN, C. T ; DOGAN, N. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 37 (1994), Heft 12, S. 1993-1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
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    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    An analytic model to estimate the avalanche breakdown voltage improvement for LDD devices
    LAI, F. S
    In: Solid-state electronics, Jg. 28 (1985), Heft 10, S. 959-965
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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