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    Ultrathin Body and Buried Oxide SOI MOSFETs With Non-LDD Source/Drain Extensions: A Simulation Study
    Zhang, D. ; Guo, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 412-417
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    LDD implant process optimization for high voltage NMOS improvement
    Liu, Lequn Jennifer ; Mikhalev, Vladimir ; et al.
    In: 2014 IEEE Workshop On Microelectronics And Electron Devices (WMED), 2014-04-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modeling and Simulation of Charge-Pumping Characteristics for LDD-MOSFET Devices With LOCOS Isolation
    Tahi, H. ; Djezzar, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-11-01), Heft 11, S. 2892-2901
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Radiation Effect Evaluation in Effective Short and Narrow Channels of LDD Transistor With LOCOS Isolation Using OTCP Method
    Tahi, H. ; Djezzar, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 10 (2010-03-01), Heft 1, S. 108-115
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    On-Current Decrease After Erasing Operation in the Nonvolatile Memory Device With LDD Structure
    Chang, G. W. ; Chang, T. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), Heft 8, S. 1038-1040
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Effect of substrate negative bias on GIDL current in LDD nMOSFET's
    Haifeng, Chen ; Huimin, Du ; et al.
    In: 2011 International Conference on Mechatronic Science, Electric Engineering and Computer (MEC), 2011-08-01, S. 396-398
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Improved lifetime of poly-Si TFTs with a self-aligned gate-overlapped LDD structure
    Mishima, Y. ; Ebiko, Y.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-06-01), Heft 6, S. 981-985
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effect of LDD structure and channel poly-Si thinning on a gate-all-around TFT (GAT) for SRAM's
    Miyamoto, S. ; Maegawa, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-08-01), Heft 8, S. 1693-1698
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A T-gate overlapped LDD device with high circuit performance and high reliability
    Kurimoto, K. ; Odanaka, S.
    In: International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest], 1991, S. 541-544
    Konferenz
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    A deep-submicrometer raised source/drain LDD structure fabricated using hot-wall epitaxy
    Moon, J.E. ; Galewski, C. ; et al.
    In: 1991 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications - Proceedings of Technical Papers, 1991, S. 117-121
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Failure of effective-channel length extraction methods due to the effect of the relative doping level of source and drain in short-channel LDD MOSFETs
    Latif, Z. ; Ortiz-Conde, A. ; et al.
    In: Proceedings 1996 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, 1996, S. 91-93
    Konferenz
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    LDD design tradeoffs for single transistor latch-up and hot carrier degradation control in accumulation mode FD SOI MOSFET's
    Duan, F.L. ; Sinha, S.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-06-01), Heft 6, S. 972-977
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimentally-based analytical model of deep-submicron LDD pMOSFETs in a Bi-MOS hybrid-mode environment
    Rofail, S.S. ; Yeo Kiat Seng
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-09-01), Heft 9, S. 1473-1482
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Gain-enhanced LDD NMOS device using cesium implantation
    Pfiester, J.R. ; Alvis, J.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-06-01), Heft 6, S. 1469-1476
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Gate-fringing field effects on high performance in high dielectric LDD spacer MOSFETs
    Mizuno, T. ; Kobori, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-04-01), Heft 4, S. 982-989
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An ITLDD CMOS process with self-aligned reverse-sequence LDD/channel implantation
    Pfiester, J.R. ; Sivan, R.D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991-11-01), Heft 11, S. 2460-2464
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Hot-carrier injection suppression due to the nitride-oxide LDD spacer structure
    Mizuno, T. ; Sawada, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991-03-01), Heft 3, S. 584-591
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Moderately doped NMOS (M-LDD)-hot electron and current drive optimization
    Krieger, G. ; Sikora, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991), Heft 1, S. 121-127
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Sub-half-micrometer concave MOSFET with double LDD structure
    Hieda, K. ; Sunouchi, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-03-01), Heft 3, S. 671-676
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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