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    Influence of Spacer Thickness on the Noise Performance in InP HEMTs for Cryogenic LNAs
    Li, Junjie ; Pourkabirian, Arsalan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), Heft 7, S. 1029-1032
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
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    RF p -GaN HEMT With 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications
    Zhou, Junmin ; Guo, Haowen ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 44 (2023), Heft 9, S. 1412-1415
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Influence of Spacer Thickness on the Noise Performance in InP HEMTs for Cryogenic LNAs
    Li, Junjie ; Pourkabirian, Arsalan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-07-01), S. 1029-1032
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Impact of Intrinsic Channel Resistance on Noise Performance of CMOS LNA
    Chen, J. ; Shi, B.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 23 (2002), Heft 1, S. 34-36
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impact of intrinsic channel resistance on noise performance of CMOS LNA
    Shi, Bingxue ; Chen, Jiwei
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), S. 34-36
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    InP HEMTs for Sub-mW Cryogenic Low-Noise Amplifiers
    Cha, Eunjung ; Wadefalk, Niklas ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020), Heft 7, S. 1005-1008
    Online unknown
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    InP-HEMT X-band Low-Noise Amplifier With Ultralow 0.6-mW Power Consumption
    LIANG, LIU ; ALT, Andreas R ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 209-211
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Simple Figure of Merit of RF MOSFET for Low-Noise Amplifier Design
    SONG, Ickhyun ; JEON, Jongwook ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 12, S. 1380-1382
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Impact of intrinsic channel resistance on noise performance of CMOS LNA.
    Chen, Jiwei ; Shi, Bingxue
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), Heft 1, S. 34-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    InP-HEMT X-band Low-Noise Amplifier With Ultralow 0.6-mW Power Consumption.
    Liu, Liang ; Alt, Andreas R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), Heft 2, S. 209-211
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Field Effect Transistors and Low Noise Amplifier MMICs of Monolayer Graphene.
    Yu, Cui ; He, Zezhao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 47 (2021-02-01), Heft 2, S. 268-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    15-GHz Epitaxial AlN FBARs on SiC Substrates
    Zhao, Wenwen ; Asadi, Mohammad Javad ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 6, S. 903-906
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Achieving Low-Recovery Time in AlGaN/GaN HEMTs With AlN Interlayer Under Low- Noise Amplifiers Operation.
    Huang, Tongde ; Axelsson, Olle ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-07-01), Heft 7, S. 926-928
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Field Effect Transistors and Low Noise Amplifier MMICs of Monolayer Graphene
    Xubo, Song ; Yu, Cui ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), S. 268-271
    Online unknown
    Zugriff:
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    InP HEMTs for Sub-mW Cryogenic Low-Noise Amplifiers
    Pourkabirian, Arsalan ; Stenarson, Jörgen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-07-01), S. 1005-1008
    Online unknown
    Zugriff:
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Simple Figure of Merit of RF MOSFET for Low-Noise Amplifier Design.
    Song, Ickhyun ; Jeon, Jongwook ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-12-01), Heft 12, S. 1380-1382
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Achieving Low-Recovery Time in AlGaN/GaN HEMTs With AlN Interlayer Under Low- Noise Amplifiers Operation
    Thorsell, Mattias ; Rorsman, Niklas ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-07-01), S. 926-928
    Online unknown
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Temperature and Substrate-Impedance Dependence of Noise Figure of Monolithic RF Inductors on Silicon.
    Lin, Yo-Sheng
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-06-01), Heft 6, S. 397-400
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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