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    Enhanced light output power from AlGaN-based deep ultraviolet LEDs achieved by a four-in-one mesa structure.
    Zheng, Xi ; Wu, Xiyang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-07-31), Heft 5, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Experimental investigation of the lattice and electronic temperatures in Ga~0~.~4~7In~0~.~5~3As/Al~0~.~6~2Ga~0~.~3~8As~1~-~xSb~x quantum-cascade lasers (3 pages)
    Vitiello, M. S. ; Scamarcio, G. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 90 (2007), Heft 12, S. 121109-121109
    Online serialPeriodical
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    Influence of InAs, AlAs δ layers on the optical, electronic, and thermal characteristics of strain-compensated GaInAs/AlInAs quantum-cascade lasers.
    Vitiello, Miriam S. ; Gresch, Tobias ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-10-15), Heft 16, S. 161111-161111
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Experimental investigation of the lattice and electronic temperatures in Ga<subscript>0.47</subscript>In<subscript>0.53</subscript>As/Al<subscript>0.62</subscript>Ga<subscript>0.38</subscript>As<subscript>1-x</subscript>Sb<subscript>x</subscript> quantum-cascade lasers.
    Vitiello, Miriam S. ; Scamarcio, Gaetano ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-03-19), Heft 12, S. 121109-121111
    Online academicJournal
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    Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening.
    Guo, Yanan ; Liu, Lei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-03), Heft 1, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Temperature dependent efficiency droop in GaInN light-emitting diodes with different current densities.
    Meyaard, David S. ; Shan, Qifeng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-02-20), Heft 8, S. 81106-81108
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Use of patterned laser liftoff process and electroplating nickel layer for the fabrication of vertical-structured GaN-based light-emitting diodes.
    Wang, Shui-Jinn ; Uang, Kai-Ming ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-07-04), Heft 1, S. 11111-11113
    Online academicJournal
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    serialPeriodical
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    Influence of dislocation density on carrier injection in InGaN/GaN light-emitting diodes operated with alternating current.
    Lee, Dong-Yul ; Han, Sang-Heon ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-01-07), Heft 1, S. 011115-11115
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Use of patterned laser liftoff process and electroplating nickel layer for the fabrication of vertical-structured GaN-based light-emitting diodes.
    Wang, Shui-Jinn ; Uang, Kai-Ming ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-21), Heft 1, S. 011111-11111
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Influence of dislocation density on carrier injection in InGaN/GaN light-emitting diodes operated with alternating current
    Han, Sang-Heon ; Dong Ju Lee ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-01-07), S. 011115-11115
    Online unknown
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    Temperature dependent efficiency droop in GaInN light-emitting diodes with different current densities
    Seung Jae Oh ; E. Fred Schubert ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-02-20), S. 081106-81106
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Use of patterned laser liftoff process and electroplating nickel layer for the fabrication of vertical-structured GaN-based light-emitting diodes
    Chen, Chao-Hsuing ; Liou, Bor-Wen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-07-04), S. 011111-11111
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening
    Zhang, Yun ; Hou, Mengjun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-03), S. 011102-11102
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Method for determining the radiative efficiency of GaInN quantum wells based on the width of efficiency-versus-carrier-concentration curve
    E. Fred Schubert ; Cho, Jaehee ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-12-10), S. 241104-241104
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    serialPeriodical
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
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    serialPeriodical
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