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2.159 Treffer

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    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Donchev, V. ; Milanova, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 574 (2021-11-15)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    HgCdTe/CdZnTe LPE epitaxial layers: From material growth to applications in devices
    Tsybrii, Zinoviia ; Bezsmolnyy, Yuriy ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 529 (2020)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    GaN crystals growth in the Na-Li-Ca flux by liquid phase epitaxy (LPE) technique
    Wu, Xi ; Hao, Hangfei ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 521 (2019-09-01), S. 30-33
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Growth evolution of SiGe graded buffers during LPE cooling process
    Wang, Jun ; Shen, Yu-Jack ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 502 (2018-11-15), S. 54-63
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    LPE growth and optical characteristics of GaAs1−xSbx epilayer
    Wang, Yang ; Hu, Shuhong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 463 (2017-04-01), S. 123-127
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Continuous change of supersaturation and evolution of oriented structure in dipping LPE process of YBa2Cu3O7-δ
    GUO, L. S ; CHEN, Y. Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 69-74
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    LPE growth and characterization of InAs1-xNx films
    LV, Y. F ; HU, S. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 398 (2014), S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    AZIZI, M ; MEISSNER, E ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 322 (2011), Heft 1, S. 74-77
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    MILANOVA, M ; VITANOV, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 346 (2012), Heft 1, S. 79-82
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
    GUIMARAES, Sonia ; TAVARES DE LIMA, Joaquim ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1657-1663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High quality of InAsSb epilayer with cutoff wavelength longer than 10 μm grown on GaAs by the modified LPE technique
    HU, S. H ; SUN, C. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 8, S. 2309-2312
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
    WANG, Q. W ; SUN, C. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 327 (2011), Heft 1, S. 63-67
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    MoO3-Li2O flux LPE growth of YIG films and its characterization
    TAKAGI, T ; FUJINO, M ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the thirteen International Conference on Crystal Growth in conjuction with the eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July-4 August 2001. Part 1, Jg. 237-39 (2002), S. 725-729
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth kinetics of GaP in LPE
    INATOMI, Y ; HORIUCHI, K ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1428-1433
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    LPE growth of the PZNT91/9 film on the (0 0 1) SrTiO3 substrate
    XINHUA, ZENG ; XIN, YAO ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 262 (2004), Heft 1-4, S. 251-254
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of CdxHg1-xTe/CdTe heterostructures formed by LPE. Part I. Isothermal conditions
    SHCHERITSA, O. V ; MAZHOROVA, O. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 290 (2006), Heft 2, S. 350-356
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of CdxHg1-xTe/CdTe heterostructures formed by LPE. Part II. Effect of programmed temperature changes
    SHCHERITSA, O. V ; MAZHOROVA, O. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 290 (2006), Heft 2, S. 357-362
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Influence of substrate conductivity on layer thickness in LPE GaAs
    OLVERA-HERNANDEZ, J ; DE JESUS, P ; et al.
    In: ICMAT 2003: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies, Symposium H: Compound Semiconductors in Electronic and Optoelectronic Applications, Jg. 268 (2004), Heft 3-4, S. 375-377
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Al0.3Ga0.7As microtips grown by self-assembled LPE for integrated SNOM sensors
    HU, LIZHONG ; SUN, JIE ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 240 (2002), Heft 1-2, S. 98-103
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    The influences of supersaturation on LPE growth of GaN single crystals using the Na flux method
    MORISHITA, Masanori ; KAWAMURA, Fumio ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 270 (2004), Heft 3-4, S. 402-408
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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