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    LPE growth and characterisation of GaInAsSb and GaALAsSb quaternary layers on (100) GaSb substrates
    PISKORSKI, M ; PIOTROWSKA, A ; et al.
    In: Proceedings of the 8th European Vacuum Congress Berlin 2003, 23-26 June 2003, featuring the 8th European Vacuum Conference and 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Jg. 459 (2004), Heft 1-2, S. 2-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Comparative study of LPE and VPE silicon thin film on porous sacrificial layer
    FAVE, A ; QUOIZOLA, S ; et al.
    In: Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics, Jg. 451-52 (2004), S. 308-311
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Defect distribution and morphology development of SiGe layers grown on Si(100) substrates by LPE
    SEMBIAN, A. M ; KONUMA, M ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium D: Thin Films Epitaxial Growth and Nanostructures, Jg. 336 (1998), Heft 1-2, S. 116-119
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Influence of cooling rate on the dislocations and related luminescence in LPE SiGe layers grown on Si(100) substrates
    SEMBIAN, A. M ; BANHART, F ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 372 (2000), Heft 1-2, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Temperature determination by solubility measurements and a study of evaporation of volatile components in LPE
    MISHURNYI, V. A ; DE ANDA, F ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 340 (1999), Heft 1-2, S. 24-27
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Interface recombination and photoluminescence efficiency of thick (< 3 μm) InGaAs prepared by LPE with InAs-enriched composition
    PARRY, M. K ; KRIER, A
    In: Thin solid films, Jg. 259 (1995), Heft 2, S. 163-166
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of Ga~xIn~1~-~xP (x [unknown] 0.5) grown by LPE and MOCVD : European Materials Research Society; EMRS; Current Trends in Optical and X-Ray Metrology of Advanced Materials and Devices II
    Mishurnyi, V.A. ; de Anda, F. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 516 (2008), Heft 22, S. 8092-8095
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Growth and magnetic properties of LPE-grown (EuTbBi)3(FeAlGa)5O12 garnet films : Proceedings of the 4th Asian-European international conference on plasma surface engineering
    Kim, G. Y. ; Yoon, S. G. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 475 (2005), Heft NO 1-2, S. 246-250
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of Ga xIn 1 − xP ( x ≈ 0.5) grown by LPE and MOCVD
    Mishurnyi, V.A. ; de Anda, F. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008), Heft 22, S. 8092-8095
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of GaxIn1−xP (x≈0.5) grown by LPE and MOCVD
    Mishurnyi, V. A. ; de Anda, F. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 516 (2008), Heft 22, S. 8092-8095
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    LPE growth of textured single crystal silicon thin film for PV applications : Thin film materials for large area electronics
    Fave, A. ; Berger, S. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 383 (2001), Heft NO 1-2, S. 209-211
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Influence of cooling rate on the dislocations and related luminescence in LPE SiGe layers grown on Si (100) substrates
    Sembian, A. M. ; Banhart, F. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 372 (2000), Heft 1-2, S. 1-5
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Temperature determination by solubility measurements and a study of cvaporation of volatile components in LPE
    Mishurnyi, V. A. ; De Anda, F. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 340 (1999), Heft 1/2, S. 24-27
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of Ga.sub.x In.sub.1- x P (x [approximately equal to]0.5) grown by LPE and MOCVD
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-09-30), Heft 22, S. 8092-8095
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Defect distribution and morphology development of SiGe layers grown on Si(100) substrates by LPE : Thin films epitaxial growth and nanostructures
    Sembian, A. M. ; Konuma, M. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 336, Heft 1/2, S. 116-119
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of GaxIn1−xP (x≈0.5) grown by LPE and MOCVD
    Gorbatchev, A.Yu. ; Elyukhin, V. A. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-09-01), S. 8092-8095
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    LPE growth and characterisation of GaInAsSb and GaAlAsSb quaternary layers on (100) GaSb substrates
    Piskorski, M. ; Katcki, J. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 459 (2004-07-01), S. 2-6
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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