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    High-power Al-free SCH-SQW lasers grown by LPE [5628-37] : Semiconductor lasers and applications II
    Li, Z. ; Wang, L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 5628 (2005), S. 223-227
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Assessment of the LPE growth of HgCdTe from Te-rich melt by the tipping method [5136-43] : International conference on solid state crystals; Crystalline materials for optoelectronics
    Kubiak, L. ; Madejczyk, P. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 5136 (2003), S. 268-273
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Self-organized LPE growth of Al~0~.~3Ga~0~.~7As microtips for integrated SNOM sensors [4923-12] : Nano-optics and nano-structures
    Su, Y. M. ; Hu, L. H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 4923 (2002), S. 41-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth of Hg~1~-~xCd~x Te heterostructures from Te-rich solutions [4413-18] : Solid state crystals; Epilayers and heterostructures in optoelectronics and semiconductor technology
    Kubiak, L. ; Adamiec, K. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 4413 (2001), S. 96-101
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth of Hg~1~-~xCd~xTe heterostructures using a novel tipping boat [3948-49] : Photodetectors: materials and devices
    Adamiec, K. ; Rutkowski, J. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 3948 (2000), S. 382-388
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of infrared LEDs/LDs at wavelength of 1.5mum using LPE-grown wafer [3896-63] : Design, fabrication, and characterization of photonic devices
    Bayuwati, D. ; Siregar, M. R. T. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 3896 (1999), S. 507-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of infrared LEDs/LDs at wavelength of 1.5 μm using LPE grown wafer
    BAYUWATI, D ; MASBAH ROTUANTA TAGORE, SIREGAR ; et al.
    In: Design, fabrication, and characterization of photonic devices (Singapore, 30 November - 3 December 1999), 1999, S. 507-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of annealing on surface passivation of P-Type Hg1-xCdxTe grown by LPE
    SHI, Yan-Li ; YING, YAO ; et al.
    In: Detectors and associated signal processing II (13-14 September 2005, Jena, Germany), 2005, S. 59640Y.1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Comparative analysis of low-doped bulk, LPE and MBE grown n-Hg1-xCdxTe material and photoconductors based on it
    NIKITIN, Mikhail S
    In: Detectors and associated signal processing II (13-14 September 2005, Jena, Germany), 2005, S. 596405.1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Comparison of mercury cadmium telluride LPE layers growth from Te-rich solution on (111)Cd0.95Zn0.05Te and (211)Cd0.95Zn0.05Te
    ADAMIEC, K ; RUTKOWSKI, J ; et al.
    In: Photodetectors : materials and devices IV (San Jose CA, 27-29 January 1999), 1999, S. 88-97
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    LPE growth of Hg1-xCdxTe heterostructures from Te-rich solutions
    KUBIAK, Leszek ; ADAMIEC, Krzysztof ; et al.
    In: Epilayers and heterostructures in optoelectronics and semiconductor technology (Zakopane, 9-13 October 2000), 2001, S. 96-101
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure using Liquid Phase Epitaxy (LPE) and its characterization
    CHANDRASEKARAN, N ; BASKAR, K ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001), 2002, S. 1061-1063
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of anomalous electrical behaviour in LPE grown undoped Hg1-xCdxTe epilayers
    NAGPAL, Anjana ; KUMAR, Shiv ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001), 2002, S. 1152-1154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth and characterization of Hg1-xCdxTe epilayers from Hg-rich solution using LPE
    KUMAR, Shiv ; NAGPAL, Anjana ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001), 2002, S. 1108-1110
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Operating characteristics of InGaAsP/GaAs SCH SQW high power lasers by LPE
    GAO, X ; BO, B ; et al.
    In: Semiconductors lasers III (Beijing, 18-19 September 1998), 1998, S. 118-120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    808nm Al-free InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers fabricated by LPE
    GAO, X ; BO, B ; et al.
    In: Semiconductors lasers III (Beijing, 18-19 September 1998), 1998, S. 108-110
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Comparison of mercury cadmium telluride LPE layers growth from Te-rich solution on (111)Cd~0~.~9~5Zn~0~.~0~5Te and (211)Cd~0~.~9~5Zn~0~.~0~5Te : Photodetectors: materials and devices
    Adamiec, K. ; Rutkowski, J. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, , Heft E 3629, S. 88-99
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Surface pretreatment of LPE HgCdTe epilayer for passivation technology of photodiode array [2894-578] : Detectors, focal plane arrays, and applications
    Li, Y. ; He, S.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, , Heft E 2894, S. 269-275
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaAs from the Ga-Bi solutions [2397-72] : Optoelectronic integrated circuit materials, physics and devices
    Panek, M. ; Paszkiewicz, R. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, , Heft E 2397, S. 661-665
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Application of advanced sensors to the liquid phase epitaxy (LPE) growth of MCT [2228-39] : Producibility of II-VI materials and devices
    Westphal, G. H. ; Colombo, L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, , Heft E 2228, S. 342-361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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