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    Composition and thickness control of thin LPE HgCdTe layers using x-ray diffraction
    Tobin, S. P. ; Hutchins, M. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-06-01), Heft 6, S. 781-791
    Online academicJournal
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    Spectral characteristics of GaAs solar cells grown by LPE
    Milanova, M. ; Mintairov, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999), Heft 1, S. 35-38
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Control of the critical supercooling in LPE
    Gorbatchev, A. Yu. ; Mishurnyi, V. A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-12-01), Heft 12, S. 1402-1405
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Surface treatment effects on the electrical properties of the interfaces between ZnS and LPE-grown Hg<subscript>0.7</subscript>Cd<subscript>0.3</subscript>Te
    Lee, Seong Hoon ; Bae, Soo Ho ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), Heft 6, S. 684-688
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    N-Type Hg<subscript>1−x</subscript>Cd<subscript>x</subscript>Te: Undoped x = 0.3 LPE material for sprite IR detectors
    McAllister, A. ; O’keefe, E. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), Heft 6, S. 1014-1018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Hall effect characterization of LPE HgCdTe P/n heterojunctions
    Tobin, S. P. ; Pultz, G. N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-08-01), Heft 8, S. 907-914
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    Key performance-limiting defects in P-on-N HgCdTe LPE heterojunction infrared photodiodes
    Chen, M. C. ; List, R. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), Heft 8, S. 1375-1382
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    X-ray diffraction characterization of LPE HgCdTe heterojunction photodiode material
    Tobin, S. P. ; Krueger, E. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-08-01), Heft 8, S. 959-966
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A new LPE growth method of semiconductor heterostructures with thickness profile variation of epitaxial layers
    Mishurnyi, V. A. ; De Anda, F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-08-01), Heft 8, S. 1003-1004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Substrate quality impact on the carrier concentration of undoped annealed HgCdTe LPE layers
    Weiss, Eliezer ; Klin, Olga ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-06-01), Heft 6, S. 756-761
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    LPE growth of PZNT film using superheating YBCO thin film as seed layer
    Qin, F. ; Cai, Y. Q. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS A MATERIALS SCIENCE AND PROCESSING, Jg. 84 (2006), Heft 3, S. 335-339
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    LPE HgCdTe on sapphire status and advancements
    Bostrup, G. ; Hess, K. L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-06-01), Heft 6, S. 560-565
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of holmium addition during LPE growth on the properties of InP and GaInAsP layers
    Procházková, O. ; Zavadil, J. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 47 (1997-07-01), Heft 7, S. 685-691
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    LPE growth of crack-free PbSe layers on Si(100) using MBE-Grown PbSe/BaF<subscript>2</subscript>CaF<subscript>2</subscript> buffer layers
    Strecker, B. N. ; McCann, P. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-05-01), Heft 5, S. 444-448
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characterization of GaAs layers grown on polycrystalline GaAs by LPE and current controlled LPE
    Abul-Fadl, A. ; Stefanakos, E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 9 (1980-05-01), Heft 3, S. 621-638
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Trace copper measurements and electrical effects in LPE HgCdTe
    Tower, J. P. ; Tobin, S. P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), Heft 8, S. 1183-1187
    Online academicJournal
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    LPE-like growth of YIG ferrimagnetic thin films by pulsed laser ablation with molten droplets
    Morimoto, A. ; Maeda, Y. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science and Processing, Jg. 69 (1999-12-01), Heft 1, S. S703- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Some perspectives and peculiarities of the LPE growth of multicomponent Sb-based solid solutions from pentanary liquid phases
    Mishurnyi, V. A. ; De Anda, F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-08-01), Heft 8, S. 959-962
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Advances in composition control for 16 µm LPE P-on-n HgCdTe heterojunction photodiodes for remote sensing applications at 60K
    Tobin, S. P. ; Weiler, M. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), Heft 6, S. 596-602
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Critical Current Density of Y123 Bicrystal Films Grown by LPE Method : Advances in Superconductivity XI
    Takagi, T. ; Wen, J. G. ; et al.
    In: ADVANCES IN SUPERCONDUCTIVITY, Jg. CONF 11 (1999), S. 497-500
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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