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1.081 Treffer

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    Growth, structure, and optical properties of GaSb quantum dot by LPE technique
    Qiu, F. ; Zhang, Y. ; et al.
    In: 2013 IEEE 5th International Nanoelectronics Conference (INEC), 2013, S. 203-204
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Characterization of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb <1 1 1> by LPE method
    SAREMINIA, Gh ; HAJIAN, M ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 53 (2010), Heft 5, S. 315-319
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    LPE growth of PZNT film using superheating YBCO thin film as seed layer
    QIN, F ; CAI, Y. Q ; et al.
    In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 84 (2006), Heft 3, S. 335-339
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A new surface-flattening method using single-point diamond turning (SPDT) and its effects on LPE HgCdTe photodiodes
    LEE, M Y ; EIM, Y. H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 1, S. 40-43
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers
    SAVKINA, R. K ; SMIRNOV, A. B ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 2, S. 97-102
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Defects in LPE-grown β-barium borate (β-BaB2O4) thin films
    JUNFANG, LIU ; JUN, XU ; et al.
    In: Optik (Stuttgart), Jg. 118 (2007), Heft 10, S. 487-490
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    InGaAsP/GaAs SCH SQW laser arrays grown by LPE
    BO, BAOXUE ; GAO, XIN ; et al.
    In: Optics and laser technology, Jg. 32 (2000), Heft 5, S. 335-338
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE
    BALAKRISHNAN, K ; IIDA, S ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 17 (2002), Heft 7, S. 729-734
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Epitaxial lateral overgrowth of GaAs : effect of doping on LPE growth behaviour
    ZYTKIEWICZ, Z. R ; DOBOSZ, D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 14 (1999), Heft 5, S. 465-469
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fabrication of infrared LEDs/LDs at wavelength of 1.5 μm using LPE grown wafer
    BAYUWATI, D ; MASBAH ROTUANTA TAGORE, SIREGAR ; et al.
    In: Design, fabrication, and characterization of photonic devices (Singapore, 30 November - 3 December 1999), 1999, S. 507-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effects of annealing on surface passivation of P-Type Hg1-xCdxTe grown by LPE
    SHI, Yan-Li ; YING, YAO ; et al.
    In: Detectors and associated signal processing II (13-14 September 2005, Jena, Germany), 2005, S. 59640Y.1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Comparative analysis of low-doped bulk, LPE and MBE grown n-Hg1-xCdxTe material and photoconductors based on it
    NIKITIN, Mikhail S
    In: Detectors and associated signal processing II (13-14 September 2005, Jena, Germany), 2005, S. 596405.1
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Rapid slider LPE growth of InAs quantum wells
    KRIER, A ; LABADI, Z ; et al.
    In: Mid-IR devices and materials, Jg. 145 (1998), Heft 5, S. 297-301
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Comparison of mercury cadmium telluride LPE layers growth from Te-rich solution on (111)Cd0.95Zn0.05Te and (211)Cd0.95Zn0.05Te
    ADAMIEC, K ; RUTKOWSKI, J ; et al.
    In: Photodetectors : materials and devices IV (San Jose CA, 27-29 January 1999), 1999, S. 88-97
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    LPE growth of Hg1-xCdxTe heterostructures from Te-rich solutions
    KUBIAK, Leszek ; ADAMIEC, Krzysztof ; et al.
    In: Epilayers and heterostructures in optoelectronics and semiconductor technology (Zakopane, 9-13 October 2000), 2001, S. 96-101
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure using Liquid Phase Epitaxy (LPE) and its characterization
    CHANDRASEKARAN, N ; BASKAR, K ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001), 2002, S. 1061-1063
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    GEOMETRY INDUCED MAGNETO-OPTIC EFFECTS IN LPE GROWN MAGNETIC GARNET FILMS
    Chakravarty, A.
    2020
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation of anomalous electrical behaviour in LPE grown undoped Hg1-xCdxTe epilayers
    NAGPAL, Anjana ; KUMAR, Shiv ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001), 2002, S. 1152-1154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth and characterization of Hg1-xCdxTe epilayers from Hg-rich solution using LPE
    KUMAR, Shiv ; NAGPAL, Anjana ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001), 2002, S. 1108-1110
    Konferenz
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    Lattice mismatched LPE growth of InGaP on patterned InP substrate
    KANEKO, M ; NAKAYAMA, S ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 37 (2002), Heft 2-3, S. 177-182
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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