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828 Treffer

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    LPE生长GaN的不同极性面的光学性质
    任玉娇;刘宗亮;顾泓;董晓鸣;高晓东;司志伟;徐科
    In: 人工晶体学报 / Journal of Synthetic Crystals, Jg. 50 (2021), Heft 6, S. 996
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Optimization of LPE-grown high efficiency GaAs solar cells
    Bett, A. ; Cardona, S. ; et al.
    In: The Conference Record of the Twenty-Second IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1991, 1991, S. 137-141
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    High Purity p-type InP Grown by LPE with Rare-Earth Admixtures
    Grym, J. ; Prochazkova, O. ; et al.
    In: 2006 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 2006-10-01, S. 157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Raman scattering study of the clustering phenomena in InGaAsP grown by LPE on (100) and (111) GaAs
    Sugiura, T. ; Hase, N. ; et al.
    In: Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1995, S. 115-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Comparative study of the photoluminescence of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE and MOVPE techniques
    PRUTSKIJ, Tatiana ; PELOSI, Claudio ; et al.
    In: Low Dimensional Structures and Devices Conference, Jg. 36 (2005), Heft 3-6, S. 374-378
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Transient photoluminescence decay investigations of LPE GaAs heteroface solar cells
    Wettling, W. ; Ehrhardt, A. ; et al.
    In: IEEE Conference on Photovoltaic Specialists, 1990, S. 357-362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Structural and optical characteristics of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE technique
    PRUTSKIJ, T ; DIAZ-ARENCIBIA, P ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 269-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
    WANG, Q. W ; SUN, C. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 327 (2011), Heft 1, S. 63-67
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    LPE 生长 GaN 的不同极性面的光学性质.
    任玉娇 ; 刘宗亮 ; et al.
    In: Journal of Synthetic Crystals, Jg. 50 (2021-06-01), Heft 6, S. 996-1001
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation of the composition-pulling or lattice-latching effect in LPE
    RODRIGUEZ-TORRES, M. Del P ; GORBATCHEV, A. Yu ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 277 (2005), Heft 1-4, S. 138-142
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Influence of cooling rate on the dislocations and related luminescence in LPE SiGe layers grown on Si(100) substrates
    SEMBIAN, A. M ; BANHART, F ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 372 (2000), Heft 1-2, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga-As-Bi melt
    JEGANATHAN, K ; SARAVANAN, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 200 (1999), Heft 3-4, S. 341-347
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Isoperiodical heterostructures GaInAsSb/GaSb grown by LPE from Sb-rich melts in spinodal decomposition area
    VASIL'EV, V. I ; NIKITINA, I. P ; et al.
    In: Fourth International Workshop on Expert Evaluation and Control of Semiconductor Materials and Technologies, June 22-24, 1998, Cardiff, Wales, Jg. 66 (1999), Heft 1-3, S. 67-69
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High purity GaSb grown by LPE in a sapphire boat
    OLVERA-HERNANDEZ, J ; DE ANDA, F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 208 (2000), Heft 1-4, S. 27-32
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Interface recombination and photoluminescence efficiency of thick (< 3 μm) InGaAs prepared by LPE with InAs-enriched composition
    PARRY, M. K ; KRIER, A
    In: Thin solid films, Jg. 259 (1995), Heft 2, S. 163-166
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence of arsenic concentration on the surface morphology and photoluminescence of LPE grown AlGaAsSb/GaSb with high aluminium content
    DUTTA, P. S ; BHAT, H. L ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 160 (1996), Heft 1-2, S. 177-180
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    LPE growth of Tb3Al5O12:Ce single crystalline film converters for WLED application
    Elia, Jack ; Gorbenko, Vitalii ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 23 (2021), S. 3212-3219
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of various factors upon the stoichiometry of GaAs homoepitaxial layers grown by LPE
    GOVORKOV, A. V ; NOVIKOV, A. G ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 144 (1994), Heft 1, S. 121-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigation of erbium doping of InP and (Ga,In)(As,P) layers grown by LPE
    CHATTERJEE, A. K ; HAIGH, J
    In: Journal of crystal growth, Jg. 106 (1990), Heft 4, S. 537-542
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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